[发明专利]一种镀膜方法、装置以及PECVD设备

说明书

本发明提供了一种镀膜装置、方法以及PECVD设备，包括：镀膜腔室及位于所述镀膜腔室内用于承载和加热待镀膜基板的载板；所述载板的承载表面朝向所述镀膜腔室的进气口，所述载板的两端分别靠近所述镀膜腔室的出气口；所述载板中间设置有旋转轴，所述载板可绕所述旋转轴在预设转动角度范围内转动；所述载板上设置有加热装置，其中，所述加热装置，铺设在所述载板上，用于对所述待镀膜基板加热，从而解决了目前镀膜方式存在成膜均一性差的问题。

技术领域

本发明涉及等离子体技术领域，特别是涉及一种镀膜方法、装置及一种等离子体增强化学气相沉积PECVD设备。

背景技术

目前镀膜技术广泛应用于半导体、液晶显示等领域，主要是用于沉积非金属薄膜等绝缘介电薄膜。对于高世代液晶生产线，沉积优异的大面积的非金属绝缘介电薄膜，可以为金属氧化物晶体管提供了一个良好的层间界面，从而最大限度地减少了氢杂质，提高了晶体管的稳定性，实现了液晶显示的优化性能。但目前沉积的方法，由于加热装置存在较大控制误差，从而导致沉积大面积薄膜过程中存在着成膜均匀性差，边缘成膜较薄等问题。

发明内容

本发明提供了一种镀膜方法、装置及一种等离子体增强化学气相沉积PECVD设备，以解决目前镀膜方式存在成膜均一性差的问题。

为了解决上述问题，本发明公开了一种镀膜装置，包括：镀膜腔室及位于所述镀膜腔室内用于承载和加热待镀膜基板的载板；

所述载板的承载表面朝向所述镀膜腔室的进气口，所述载板的两端分别靠近所述镀膜腔室的出气口；

所述载板中间设置有旋转轴，所述载板可绕所述旋转轴在预设转动角度范围内转动；

所述载板上设置有加热装置，其中，所述加热装置，铺设在所述载板上，用于对所述待镀膜基板加热。

优选的，所述加热装置包括第一加热装置和第二加热装置；

所述第一加热装置，均匀铺设在所述载板上，用于对所述待镀膜基板均匀加热；

所述第二加热装置，分设在所述载板的两端，用于对所述待镀膜基板的边缘区域加热，所述载板两端的所述第二加热装置可单独控制。

优选的，所述第二加热装置包括多个加热器，所述加热器包括多个线圈，且所述加热线圈呈正方形结构。

优选的，所述第一加热装置呈长方形结构，并且所述第一加热装置的线圈呈梯度排布，所述线圈的缠绕方式由外到内依次递减。

优选的，所述载板可绕所述旋转轴在预设转动角度范围内转动包括：

所述载板可绕所述旋转轴在5度-15度范围为转动。

为了解决上述问题，本发明还公开了一种PECVD设备，包括权利要求1-5任一项所述的镀膜装置。

为了解决上述问题，本发明还公开了一种镀膜方法，应用于PECVD设备的镀膜装置中，包括：

控制加热装置对放置在镀膜腔室载板上的待镀膜基板进行预热，使所述待镀膜基板边缘区域的温度高于所述基板中心区域的温度并满足预设温差范围，并打开进气口进行气体沉积；

分别控制所述载板绕旋转轴沿第一方向和第二方向旋转至预设角度范围，并控制加热装置对远离所述进气口一侧的待镀膜基板的边缘区域加热温度升高；其中，第一方向与第二方向相反；

控制载板绕旋转轴沿第一方向和第二方向快速震荡，并控制加热装置使所述待镀膜基板边缘区域的温度高于所述基板中心区域的温度并满足所述预设温差范围。

优选的，当所述加热装置包括均匀铺设在所述载板上的第一加热装置和分设在所述载板两端的第二加热装置时；