[发明专利]一种镀膜方法、装置以及PECVD设备

权利要求书

1.一种镀膜装置，其特征在于，包括：镀膜腔室及位于所述镀膜腔室内用于承载和加热待镀膜基板的载板；

所述载板的承载表面朝向所述镀膜腔室的进气口，所述载板的两端分别靠近所述镀膜腔室的出气口；

所述载板中间设置有旋转轴，所述载板可绕所述旋转轴在预设转动角度范围内转动；

所述载板上设置有加热装置，其中，所述加热装置，铺设在所述载板上，用于对所述待镀膜基板加热；

所述加热装置包括第一加热装置和第二加热装置；

所述第一加热装置，均匀铺设在所述载板上，用于对所述待镀膜基板均匀加热；

所述第二加热装置，分设在所述载板的两端，用于对所述待镀膜基板的边缘区域加热，所述载板两端的所述第二加热装置可单独控制；

所述第一加热装置呈长方形结构，并且所述第一加热装置的线圈呈梯度排布，所述线圈的缠绕方式由外到内依次递减。

2.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，所述第二加热装置包括多个加热器，所述加热器包括多个线圈，且所述加热线圈呈正方形结构。

3.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，所述载板可绕所述旋转轴在预设转动角度范围内转动包括：

所述载板可绕所述旋转轴在5度-15度范围为转动。

4.一种PECVD设备，包括权利要求1-3任一项所述的镀膜装置。

5.一种镀膜方法，应用于PECVD设备的镀膜装置中，其特征在于，包括：

控制加热装置对放置在镀膜腔室载板上的待镀膜基板进行预热，使所述待镀膜基板边缘区域的温度高于所述基板中心区域的温度并满足预设温差范围，并打开进气口进行气体沉积；

分别控制所述载板绕旋转轴沿第一方向和第二方向旋转至预设角度范围，并控制加热装置对远离所述进气口一侧的待镀膜基板的边缘区域加热温度升高；其中，第一方向与第二方向相反；

控制载板绕旋转轴沿第一方向和第二方向快速震荡，并控制加热装置使所述待镀膜基板边缘区域的温度高于所述基板中心区域的温度并满足所述预设温差范围；

当所述加热装置包括均匀铺设在所述载板上的第一加热装置和分设在所述载板两端的第二加热装置时；

所述控制加热装置对放置在在镀膜腔室载板上的待镀膜基板进行预热，使所述待镀膜基板边缘区域的温度高于所述基板中心区域的温度并满足预设温差范围，包括：

控制第一加热装置和第二加热装置对放置在镀膜腔室载板上的待镀膜基板进行预热，使所述待镀膜基板边缘区域的温度高于所述基板中心区域的温度并满足预设温差范围，所述第一加热装置呈长方形结构，并且所述第一加热装置的线圈呈梯度排布，所述线圈的缠绕方式由外到内依次递减。

6.根据权利要求5所述的镀膜方法，其特征在于，所述控制加热装置对远离所述进气口一侧的待镀膜基板的边缘区域加热温度升高，包括：

控制远离所述进气口一侧的第二加热装置对远离所述进气口一侧的待镀膜基板的边缘区域加热温度升高。

7.根据权利要求5所述的镀膜方法，其特征在于，所述预设温差范围为2度-5度。