[发明专利]一种纳米线p‑n异质结及其制备方法在审
| 申请号： | 201710979906.6 | 申请日： | 2017-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN107619026A | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 李宝军;杨先光;张垚;李宇超 | 申请（专利权）人： | 暨南大学 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00;C01G9/08;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所11569 | 代理人： | 刘奇 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 异质结 及其 制备 方法 | ||
1.一种纳米线p-n异质结的制备方法，包括以下步骤：
将p型量子点与导电聚合物和苯类有机溶剂混合，得到掺杂p型量子点的混合溶液；
将n型量子点与导电聚合物和苯类有机溶剂混合，得到掺杂n型量子点的混合溶液；
对所述掺杂p型量子点的混合溶液进行拉制，得到p型纳米线；
对所述掺杂n型量子点的混合溶液进行拉制，得到n型纳米线；
在光学显微镜下，将所述p型纳米线与n型纳米线进行微操控，得到交叉结构，即为纳米线p-n异质结。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述p型量子点为p型CdSe-ZnS核-壳量子点、p型CdTe量子点或p型CuINnS量子点。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述掺杂p型量子点的混合溶液中p型量子点与导电聚合物和苯类有机溶剂的用量比为0.8～1nmol:0.6～0.9g:0.7～1.2mL。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述n型量子点为n型CdSe-ZnS核-壳量子点、n型CdTe量子点或n型CuINnS量子点。
5.根据权利要求1或4所述的制备方法，其特征在于，所述掺杂n型量子点的混合溶液中n型量子点与导电聚合物和苯类有机溶剂的用量比为0.8～1nmol:0.6～0.9g:0.7～1.2mL。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述导电聚合物为聚苯胺、聚吡咯或聚噻吩。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述苯类有机溶剂包括二甲苯溶剂、二氨基甲苯和均三甲苯中的一种或几种的混合物。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述微操控包括：用操控探针推动所述p型纳米线与n型纳米线。
9.权利要求1～8任意一项所述制备方法制得的纳米线p-n异质结，所述纳米线p-n异质结包括交叉设置的p型纳米线和n型纳米线。
10.根据权利要求9所述的纳米线p-n异质结，其特征在于，所述p型纳米线和n型纳米线的直径独立地为400～700nm。
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