[发明专利]导体和包括导体的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造用于半导体器件的导体的方法，所述方法包括：

在基底上形成结构，所述结构包括：

被相应的第一盖和第二盖覆盖的第一导体，平行于第一方向布置；和

被第三盖覆盖的第二导体，平行于所述第一导体布置并且与所述第一导体交替；

其中，所述第一导体被组织成至少第一组和第二组；

所述第一组的每个构件均具有所述第一盖，每个所述第一盖具有第一蚀刻灵敏度；

所述第二组的每个构件均具有所述第二盖，每个所述第二盖具有第二蚀刻灵敏度；

每个所述第二导体均具有所述第三盖，每个所述第三盖具有第三蚀刻灵敏度；并且

所述第一蚀刻灵敏度、所述第二蚀刻灵敏度和所述第三蚀刻灵敏度彼此不同；以及

消除所述结构中的所述第一盖和所述第二盖分别对应的所述第一组的构件和所述第二组的所选择的构件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

从所述第一组的所选择的构件中去除所述第一盖，产生所述第一导体的第一未覆盖部分；

从所述第二组的所选择的构件中去除所述第二盖，产生所述第一导体的第二未覆盖部分；以及

从所述结构中去除所述第一导体的所述第一未覆盖部分和所述第二未覆盖部分。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，去除所述第一组的所选择的构件的所述第一盖包括：

在所述第一组的未选择的构件上方形成第一掩模部分以使所述第一组的所选择的构件暴露；

使所述第一组的所选择的构件和所述第二组的被所述第一掩模部分暴露的其它构件经受第一蚀刻剂，所述第一蚀刻剂选择性地适用于所述第一蚀刻灵敏度，以从所述第一组的每个所选择的构件中去除所述第一盖，产生所述第一导体的所述第一未覆盖部分；以及

去除所述第一掩模部分。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述第一组的未选择的构件上方形成所述第一掩模部分包括：

延伸第一掩模部分的跨度以覆盖所述第二组的一些构件的部分。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，从所述第二组的构件的所选择的部分去除所述第二盖包括：

在所述第二组的未选择的构件上方形成第二掩模部分以使所述第二组的所选择的构件暴露；

使所述第二组的所选择的构件和所述第一组的被第二掩模部分暴露的其它构件经受第二蚀刻剂，所述第二蚀刻剂选择性地适用于所述第二蚀刻灵敏度，以从所述第二组的每个所选择的构件去除所述第二盖，产生所述第一导体的所述第二未覆盖部分；以及

去除所述第二掩模部分。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述第二组的未选择的构件上方形成所述第二掩模部分包括：

延伸第二掩模部分的跨度以覆盖所述第一组的一些构件的部分。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述结构包括：

形成具有交替的第一间隔件、第一蚀刻停止层(ESL)部分和第二蚀刻停止层部分的第一中间层；

在相应的所述第一间隔件、所述第一蚀刻停止层部分和所述第二蚀刻停止层部分上的中心位置中形成第三蚀刻停止层部分；以及

去除所述第一间隔件、所述第一蚀刻停止层部分和所述第二蚀刻停止层部分的暴露区域与位于所述暴露区域下方的导电层的部分，产生相应的被相应的所述第一盖和所述第二盖覆盖的所述第一导体和被所述第三盖覆盖的所述第二导体。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述第一中间层包括：

在基底上形成交替的所述第一间隔件、所述第一蚀刻停止层部分和所述第二蚀刻停止层部分；

其中，所述基底包括：平行于第二方向布置的多个鳍，所述第二方向垂直于所述第一方向。