[发明专利]电子元件容器及其制造方法

权利要求书

1.一种电子元件容器，其包括：

基底层；

第一及第二防静电层，其分别形成于所述基底层上部及下部表面；

收容槽，其是由所述基底层和第一及第二防静电层以矩阵形状排列成型M×N(M及N为自然数)个而形成的；

导电层，其以与所述第一及第二防静电层电连接的形式形成于所述基底层的侧面；

所述基底层由溶剂性树脂或耐溶剂性树脂形成；

所述第一及第二防静电层和所述导电层由包括传导性物质或导电性金属的溶剂性树脂或耐溶剂性树脂形成；

所述传导性物质包括碳纳米管或传导性碳；

所述第一及第二防静电层和导电层由聚乙烯二氧噻吩(PEDOT:3,4-乙烯二氧噻吩)、PSS、吡咯及聚苯胺的传导性高分子中任意一种形成；

所述导电层形成时，在截断为具有所述M×N(M及N为自然数)个收容槽的单位电子元件容器时，将形成于截断面的毛刺和细微粒子溶解去除或以防止向外部露出的形式埋没。

2.根据权利要求1所述的电子元件容器，其特征在于，

所述基底层形成为0.5～3mm的厚度。

3.根据权利要求1所述的电子元件容器，其特征在于，

所述第一及第二防静电层形成为0.05～0.3mm的厚度。

4.一种电子元件容器的制造方法，其包括如下工艺：

将第一及第二防静电层形成于由板材形成的基底层的上部及下部表面；

用空气将所述基底层和第一及第二防静电层加压成型，将多个收容槽形成为矩阵形状；

将形成有所述多个收容槽的材料状态分别截断为具有M×N(M及N为自然数)个收容槽的单位电子元件容器；

将与第一及第二防静电层电连接的导电层形成于所述单位电子元件容器的截断面；

在所述导电层形成时，在截断为具有所述M×N(M及N为自然数)个收容槽的单位电子元件容器时，将形成于截断面的毛刺和细微粒子溶解去除或以防止向外部露出的形式埋没；

使用溶剂性树脂或耐溶剂性树脂形成所述基底层；

使用包括传导性物质或导电性金属的溶剂性树脂或耐溶剂性树脂形成所述第一及第二防静电层和导电层。

5.根据权利要求4所述的电子元件容器的制造方法，其特征在于，

使得所述基底层形成为0.5～3mm的厚度。

6.根据权利要求4所述的电子元件容器的制造方法，其特征在于，

在所述基底层上部及下部表面涂布聚乙烯二氧噻吩(PEDOT:3,4-乙烯二氧噻吩)、PSS、吡咯及聚苯胺的传导性高分子中任意一种，从而形成所述第一及第二防静电层。

7.根据权利要求4所述的电子元件容器的制造方法，其特征在于，

在将传导性高分子混合于有机溶剂的状态下，利用由自动或手动方式来执行的浸渍法、辊涂法或喷涂法形成所述导电层。

8.根据权利要求4所述的电子元件容器的制造方法，其特征在于，

在将传导性高分子混合于有机溶剂的状态下，通过自动或者手动方式用布、海绵或刷子来涂布，从而形成所述导电层。

9.根据权利要求7或8所述的电子元件容器的制造方法，其特征在于，

使得所述导电层在25～90℃的温度下形成为0.05～0.3mm的厚度。

10.根据权利要求7或8所述的电子元件容器的制造方法，其特征在于，

使用聚乙烯二氧噻吩(PEDOT:3,4-乙烯二氧噻吩)、PSS、吡咯及聚苯胺的传导性高分子中任意一种形成所述导电层。

11.根据权利要求7或8所述的电子元件容器的制造方法，其特征在于，

使用甲苯、MEK(丁酮)、丙酮、乙酸乙酯、TCE、DMSO、DCM、HFP或醇类中任意一种作为所述有机溶剂。