[发明专利]存储器件、包括它的半导体系统和驱动半导体系统的方法在审

专利信息
申请号: 201710945399.4 申请日: 2017-10-12
公开(公告)号: CN108122586A 公开(公告)日: 2018-06-05
发明(设计)人: 权正贤;赵上球;李圣恩 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C16/16 分类号: G11C16/16;G11C16/34;G11C29/44
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 程强;许伟群
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 现象分析 半导体系统 样本数据 正常数据 储存 读取 半导体器件 参考数据 存储器件 样本 驱动
【说明书】:

一种半导体器件,包括:至少一个正常块,适用于储存正常数据;至少一个样本块,适用于储存样本数据;现象分析块,适用于基于样本数据产生至少一个现象分析信号;以及控制块,适用于基于所述至少一个现象分析信号,控制读取正常数据时所需的参考数据的电平。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年11月30日提交的韩国专利申请10-2016-0161501的优先权,其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的各个实施例总体而言涉及半导体设计技术,更具体而言涉及半导体器件、包括半导体器件的半导体系统以及驱动半导体系统的方法。

背景技术

随着具有低功耗、高性能及多功能的电子设备变得越来越小,对能在这些电子设备(例如计算机、便携式通信设备等)中储存信息的半导体存储器件的需求日益增多。这样的半导体存储器件可以应用可变电阻元件,可变电阻元件根据施加给此元件的电压或电流在不同的阻值状态之间切换。半导体存储器件包括例如阻变随机存取存储器(RRAM)器件、相变随机存取存储器(PRAM)器件、铁电随机存取存储器(FRAM)器件、磁阻变随机存取存储器(MRAM)器件、电可编程熔丝(E-fuse)等。

发明内容

本发明的示例性实施例针对能够容易地分析和避免在储存区域或储存块中发生漂移现象或残留现象的半导体器件、包括半导体器件的半导体系统、以及驱动半导体系统的方法。

根据本发明的一个实施例,一种半导体器件可以包括:至少一个正常块,适用于储存正常数据;至少一个样本块,适用于储存样本数据;现象分析块,适用于基于样本数据产生至少一个现象分析信号;以及控制块,适用于基于所述至少一个现象分析信号,控制读取正常数据时所需的参考数据的电平。

样本数据可以具有与正常数据所具有的相同比例的两个或更多数据值。

控制块可以包括:参考数据发生单元,适用于产生多个数据,各个数据具有不同的电平;参考数据选择单元,适用于基于选择控制信号来选择所述多个数据中的一个作为参考数据;以及选择控制单元,适用于基于所述至少一个现象分析信号产生选择控制信号。

现象分析块可以包括:比较数据储存单元,适用于储存比较数据,所述比较数据具有与样本数据的预定数据模式相同的数据模式,所述样本数据具有与正常数据所具有的相同比例的两个或更多数据值;数据比较单元,适用于将比较数据与样本数据比较;以及比率计算单元,适用于基于数据比较单元的比较结果来产生所述至少一个现象分析信号,其中,所述至少一个现象分析信号包括与数据值的比率相对应的第一现象分析信号和第二现象分析信号。

半导体器件还可以包括:读取电路块,适用于基于参考数据读取正常数据中的至少一个或者读取样本数据。

样本块可以包括起始-间隔块。

样本块可以设置成与正常块相邻或者设置在正常块中。

根据本发明的一个实施例,一种半导体系统可以包括:半导体器件,适用于储存正常数据和样本数据,其中,样本数据表示正常数据的特性;以及控制器件,适用于基于样本数据分析正常数据中发生的现象,其中,现象包括漂移现象和残留现象。

样本数据可以具有与正常数据所具有的相同比例的两个或更多数据值。

所述半导体器件可以基于控制器件所产生的至少一个现象分析信号控制读取正常数据中的至少一个时所需的参考数据的电平,所述至少一个现象分析信号对应于现象分析的结果。

半导体器件可以包括:至少一个正常块,适用于储存正常数据;至少一个样本块,适用于储存样本数据;以及控制块,适用于基于所述至少一个现象分析信号控制参考数据的电平。

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