[发明专利]鳍式场效应晶体管装置的形成方法

说明书

提供一种鳍式场效应晶体管装置的形成方法，包括：在鳍式场效应晶体管的鳍片上形成盖层，其中鳍片由包括锗的材料所形成；在盖层上形成虚置介电层；在虚置介电层上形成虚置栅极；移除虚置栅极，其中在移除虚置栅极后，通过开口露出鳍片，开口位于虚置介电层及盖层中；以及形成置换栅极，置换栅极通过位于虚置介电层及盖层中的开口接触鳍片。

技术领域

本发明实施例关于一种场效应晶体管装置的形成方法，且特别关于一种鳍式场效应晶体管装置的形成方法。

背景技术

半导体装置被使用于各种电子应用中，例如个人电脑、行动电话、数码相机和其他电子设备。通常通过在半导体基板上依序沉积绝缘或介电层、导电层和半导体层材料以制成半导体装置，并且使用微影以图案化各种材料层，以在其上形成电路组件和元件。

半导体工业通过持续缩小最小特征尺寸以持续改进各种电子组件(如晶体管、二极管、电阻、电容等)的集成密度，其允许更多的组件整合到给定的区域中。然而，随着最小特征尺寸的缩小，其他应解决的问题也随之出现。

发明内容

根据本发明一些实施例，提供了一种鳍式场效应晶体管装置的形成方法，包括：在鳍式场效应晶体管的鳍片上形成盖层，其中鳍片由包括锗的材料所形成；在盖层上形成虚置介电层；在虚置介电层上形成虚置栅极；移除虚置栅极，其中在移除虚置栅极后，通过开口露出鳍片，开口位于虚置介电层及盖层中；以及形成置换栅极，置换栅极通过位于虚置介电层及盖层中的开口接触鳍片。

根据本发明另一些实施例，提供了一种鳍式场效应晶体管装置的形成方法，包括于基板上外延成长膜层，膜层由包括硅及锗的材料所形成；图案化膜层及基板以形成鳍式场效应晶体管的鳍片，膜层设置于鳍片的通道区中；在鳍片上形成盖层，其中盖层包括Si₃N₄或Al₂O₃；在盖层上形成虚置栅极，且虚置栅极接触盖层；以及使用盖层作为蚀刻停止层去除虚置栅极。

根据本发明又一些实施例，提供了一种鳍式场效应晶体管结构，包括鳍片，形成于基板中，其中鳍片包括通道区，通道区包括锗；以及栅极堆叠，位于鳍片上，其中栅极堆叠通过鳍片上的盖层中的开口及盖层上的虚置介电层中的开口接触鳍片，其中虚置介电层由不同于盖层的材料所形成。

附图说明

以下将配合所附附图详述本发明的实施例。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘示且仅用以说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小元件的尺寸，以清楚地表现出本发明的特征。

图1是根据一些实施例绘示的鳍式场效应晶体管的透视图。

图2-5是根据一些实施例绘示的制造鳍式场效应晶体管装置中间步骤的剖面图。

图6A及6B是根据一些实施例绘示的制造鳍式场效应晶体管装置中间步骤的剖面图。

图7A及7B是根据一些实施例绘示的制造鳍式场效应晶体管装置中间步骤的剖面图。

图8A及8B是根据一些实施例绘示的制造鳍式场效应晶体管装置中间步骤的剖面图。

图9A及9B是根据一些实施例绘示的制造鳍式场效应晶体管装置中间步骤的剖面图。

图10A、10B及10C是根据一些实施例绘示的制造鳍式场效应晶体管装置中间步骤的剖面图。

图11A、11B及11C是根据一些实施例绘示的制造鳍式场效应晶体管装置中间步骤的剖面图。

图12A、12B及12C是根据一些实施例绘示的制造鳍式场效应晶体管装置中间步骤的剖面图。

图13A、13B及13C是根据一些实施例绘示的制造鳍式场效应晶体管装置中间步骤的剖面图。