[发明专利]BPS型阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种BPS型阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上制作薄膜晶体管阵列层(20)，在所述衬底基板(10)上形成覆盖薄膜晶体管阵列层(20)的保护层(30)；

步骤S2、在所述保护层(30)上形成彩色光阻层(40)，所述彩色光阻层(40)包括呈阵列排布的数个色阻单元(41)，每个色阻单元(41)包括第一像素区(401)、第二像素区(402)及设于所述第一像素区(401)与第二像素区(402)之间的连接区(403)；

步骤S3、在所述保护层(30)上形成覆盖所述彩色光阻层(40)的有机绝缘层(50)，在所述有机绝缘层(50)上沉积黑色遮光膜层(60)；

在所述黑色遮光膜层(60)上定义出对应于多个色阻单元(41)的连接区(403)上方的多个主隔垫物图案(61)、对应于多个色阻单元(41)的连接区(403)上方的多个副隔垫物图案(62)、以及对应于所述数个色阻单元(41)之间的间隔区域与所述数个色阻单元(41)的外围区域上方的黑色矩阵图案(63)；

步骤S4、采用一道掩膜板(70)对黑色遮光膜层(60)进行紫外线曝光；所述掩膜板(70)上设有对应于多个副隔垫物图案(62)的半透光区(71)以及对应于多个主隔垫物图案(61)与黑色矩阵图案(63)的全透光区(72)；

步骤S5、对黑色遮光膜层(60)进行显影，得到对应于多个色阻单元(41)的连接区(403)上方的多个主隔垫物(81)、对应于多个色阻单元(41)的连接区(403)上方的多个副隔垫物(82)、以及对应于所述数个色阻单元(41)之间的间隔区域与所述数个色阻单元(41)的外围区域上方的黑色矩阵(83)；

所述主隔垫物(81)的高度大于所述副隔垫物(82)的高度，所述副隔垫物(82)的高度大于所述黑色矩阵(83)的高度。

2.如权利要求1所述的BPS型阵列基板的制作方法，其特征在于，所述连接区(403)的宽度小于所述第一像素区(401)与第二像素区(402)的宽度；所述主隔垫物(81)与黑色矩阵(83)的高度差为色阻单元(41)的连接区(403)的厚度。

3.如权利要求1所述的BPS型阵列基板的制作方法，其特征在于，所述主隔垫物(81)与副隔垫物(82)的高度差为0.3μm～0.8μm；所述黑色遮光膜层(60)的材料包括负性光阻材料。

4.如权利要求1所述的BPS型阵列基板的制作方法，其特征在于，所述半透光区(71)的透光率为20％～40％；所述全透光区(72)的透光率为100％。

5.如权利要求1所述的BPS型阵列基板的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列层(20)包括设于所述衬底基板(10)上的栅极(21)、设于所述衬底基板(10)上且覆盖栅极(21)的栅极绝缘层(22)、设于所述栅极绝缘层(22)上且对应于栅极(21)上方的有源层(23)、以及设于所述有源层(23)与栅极绝缘层(22)上且分别与所述有源层(23)的两侧相接触的源极(24)与漏极(25)；

所述步骤S3还包括像素电极制程，所述像素电极制程发生在沉积黑色遮光膜层(60)之前，所述像素电极制程包括：在所述有机绝缘层(50)与保护层(30)上形成对应于源极(24)上方的过孔(51)，在所述有机绝缘层(50)上形成像素电极(52)，所述像素电极(52)经由所述过孔(51)与源极(24)相接触。