[发明专利]一种过孔的制备方法及显示基板的制备方法在审

申请号：	201710874562.2	申请日：	2017-09-25
公开（公告）号：	CN107622976A	公开（公告）日：	2018-01-23
发明（设计）人：	刘宁;苏同上;成军	申请（专利权）人：	京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
主分类号：	H01L21/77	分类号：	H01L21/77;H01L27/12
代理公司：	北京同达信恒知识产权代理有限公司11291	代理人：	郭润湘
地址：	100015 ***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	一种制备方法显示
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【说明书】：

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种过孔的制备方法及显示基板的制备方法。

背景技术

在显示面板的制备过程中，阵列基板的制备是其中的一个重要工艺。阵列基板包括衬底基板和形成在衬底基板上的薄膜晶体管(Thin Film Transistor；TFT)层，在薄膜晶体管层中包括有源层、源漏极层、栅极层、绝缘层等多个层级结构，为实现不同膜层之间的连接，通常需要在绝缘层上形成过孔，并通过设置在过孔内的导线将绝缘层两侧的膜层进行连接。

目前，过孔的制备通常采用干法刻蚀工艺，即采用等离子体轰击的方式在薄膜上进行刻蚀。由于干法刻蚀为各向异性刻蚀，通常会导致形成的过孔的坡度角过大，不利于后续工艺中形成的导线的连接，甚至会出现断线等不良，降低了阵列基板的产品良率。

发明内容

本发明提供了一种过孔的制备方法及显示基板的制备方法，用以解决现有技术中的过孔制备方法形成的过孔的坡度角过大而导致的阵列基板产品良率降低的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下的技术方案：

一种过孔的制备方法，包括：

在需形成过孔的膜层上依次形成至少两层分别具有通孔的光刻胶层，其中，任意两层相邻的光刻胶层中，远离所述膜层的光刻胶层的通孔的横截面面积大于靠近所述膜层的光刻胶层的通孔的横截面面积，且远离所述膜层的光刻胶层的通孔在靠近所述膜层的光刻胶层上的投影覆盖靠近所述膜层的光刻胶层的通孔；

对所述膜层与所述至少两层光刻胶层的通孔对应的区域进行刻蚀，形成过孔。

本发明提供的过孔的制备方法中，在需形成过孔的膜层上依次形成至少两层光刻胶层，每层光刻胶层上具有通孔，且任意两层相邻的光刻胶层中，远离所述膜层的光刻胶层的通孔的横截面面积大于靠近所述膜层的光刻胶层的通孔的横截面面积，且远离所述膜层的光刻胶层的通孔在靠近所述膜层的光刻胶层上的投影覆盖靠近所述膜层的光刻胶层的通孔，则所述至少两层光刻胶层的通孔拼接形成一个在沿远离所述膜层的方向上通孔逐渐增大的刻蚀孔，通过该刻蚀孔对膜层进行刻蚀，则可使形成的过孔具有较小的坡度角，从而可降低由于过孔的坡度角过大导致的后续工艺中形成的导线的连接不良问题，可提高阵列基板的产品良率。

可选地，所述在需形成过孔的膜层上依次形成至少两层分别具有通孔的光刻胶层，具体包括：

针对任意两层相邻的光刻胶层，形成靠近所述膜层的光刻胶层包括:

形成一层光刻胶层，并在所述光刻胶层上形成通孔的图形；

形成远离需形成过孔的膜层的光刻胶层包括：

在靠近所述膜层的光刻胶层上形成一层光刻胶层，并在所述光刻胶层上形成通孔的图形。

进一步地，所述在所述光刻胶层上形成通孔的图形，具体包括：

通过曝光显影工艺在所述光刻胶层上形成通孔的图形。

进一步地，在曝光工艺中，针对任意相邻的两层光刻胶层，远离所述膜层的光刻胶层的通孔的图形的曝光量大于靠近所述膜层的光刻胶层的通孔的图形曝光量。

进一步地，在曝光工艺中，针对任意相邻的两层光刻胶层，用于形成远离所述膜层的光刻胶层的通孔的图形的掩膜板的图形面积大于用于形成靠近所述膜层的光刻胶层的通孔的图形的掩膜板的图形面积。

可选地，每层光刻胶层的厚度相等。

可选地，沿所述膜层到所述至少两层光刻胶层的方向上，所述至少两层光刻胶层的厚度逐渐减小。

可选地，沿所述膜层到所述至少两层光刻胶层的方向上，所述至少两层光刻胶层的厚度逐渐增大。