[发明专利]一种过孔的制备方法及显示基板的制备方法在审
| 申请号： | 201710874562.2 | 申请日： | 2017-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN107622976A | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 刘宁;苏同上;成军 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 方法 显示 | ||
1.一种过孔的制备方法，其特征在于，包括：
在需形成过孔的膜层上依次形成至少两层分别具有通孔的光刻胶层，其中，任意两层相邻的光刻胶层中，远离所述膜层的光刻胶层的通孔的横截面面积大于靠近所述膜层的光刻胶层的通孔的横截面面积，且远离所述膜层的光刻胶层的通孔在靠近所述膜层的光刻胶层上的投影覆盖靠近所述膜层的光刻胶层的通孔；
对所述膜层与所述至少两层光刻胶层的通孔对应的区域进行刻蚀，形成过孔。
2.根据权利要求1所述的过孔的制备方法，其特征在于，所述在需形成过孔的膜层上依次形成至少两层分别具有通孔的光刻胶层，具体包括：
针对任意两层相邻的光刻胶层，形成靠近所述膜层的光刻胶层包括:
形成一层光刻胶层，并在所述光刻胶层上形成通孔的图形；
形成远离需形成过孔的膜层的光刻胶层包括：
在靠近所述膜层的光刻胶层上形成一层光刻胶层，并在所述光刻胶层上形成通孔的图形。
3.根据权利要求2所述的过孔的制备方法，其特征在于，所述在所述光刻胶层上形成通孔的图形，具体包括：
通过曝光显影工艺在所述光刻胶层上形成通孔的图形。
4.根据权利要求3所述的过孔的制备方法，其特征在于，在曝光工艺中，针对任意相邻的两层光刻胶层，远离所述膜层的光刻胶层的通孔的图形的曝光量大于靠近所述膜层的光刻胶层的通孔的图形曝光量。
5.根据权利要求3所述的过孔的制备方法，其特征在于，在曝光工艺中，针对任意相邻的两层光刻胶层，用于形成远离所述膜层的光刻胶层的通孔的图形的掩膜板的图形面积大于用于形成靠近所述膜层的光刻胶层的通孔的图形的掩膜板的图形面积。
6.根据权利要求1所述的过孔的制备方法，其特征在于，每层光刻胶层的厚度相等。
7.根据权利要求1所述的过孔的制备方法，其特征在于，沿所述膜层到所述至少两层光刻胶层的方向上，所述至少两层光刻胶层的厚度逐渐减小。
8.根据权利要求1所述的过孔的制备方法，其特征在于，沿所述膜层到所述至少两层光刻胶层的方向上，所述至少两层光刻胶层的厚度逐渐增大。
9.根据权利要求1所述的过孔的制备方法，其特征在于，所述对所述膜层与所述至少两层光刻胶层的通孔对应的区域进行刻蚀，具体包括：
通过干法刻蚀工艺对所述膜层与所述至少两层光刻胶层的通孔对应的区域进行刻蚀。
10.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的过孔的制备方法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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