[发明专利]背膜结构及其制备方法、柔性显示屏有效
申请号: | 201710858437.2 | 申请日: | 2017-09-21 |
公开(公告)号: | CN107665854B | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 李建伟;蔡宝鸣;陈立强;李红;谢春燕 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/56 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 膜结构 及其 制备 方法 柔性 显示屏 | ||
本发明提供一种背膜结构及其制备方法柔性显示屏,属于显示技术领域。本发明的柔性显示屏用背膜结构,包括:柔性基底;位于所述柔性基底上、且与柔性显示屏的绑定区对应的位置处的表面硬化处理层。由于,本发明的背膜结构包括柔性基底上、且与柔性显示屏的绑定区对应的位置处的表面硬化处理层,因此,将该背膜结构应用至柔性显示屏中,在将芯片绑定在柔性显示屏的绑定区时,表面硬化处理层抗压能力较强,可以防止柔性显示屏与IC邦定的区域下陷,造成柔性显示屏中的线路断裂,出现断路情况,以及ACF材料(异方性导电胶膜)中的导电粒子聚集,出现短路现象。
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种背膜结构及其制备方法、柔性显示屏。
背景技术
目前柔性显示屏的制备工艺中,一般是先将柔性显示基板固定在玻璃基板上,再进行之后的背板制备工艺,待制备完成后,需要将柔性显示基板与玻璃基板分离,再在柔性显示基板的背面通过压敏胶贴附膜材(背膜)使柔性基板平整化,之后再进行切割、IC邦定等工艺。
柔性显示屏与IC(驱动芯片)邦定一般采用COF(Chip on film)的方式,因为COF为软性材质,在与柔性显示屏压接时不会造成柔性显示屏中的线路断裂。而COF成本较高,且线路不能做太细,因此不能对应高分辨率产品。
现有技术中,还可以通过加压加热将IC直接邦定在柔性显示屏上,利用下压平台吸附IC,按压至柔性显示屏的对应邦定区域。但由于IC硬度高,柔性显示屏较柔软,直接压接易造成柔性显示屏与IC邦定的区域下陷,造成柔性显示屏中的线路断裂,出现断路情况,且加热加压会使柔性显示屏的下陷区域周围凸起,造成邦定区域的ACF材料(异方性导电胶膜)中的导电粒子聚集,出现短路现象。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种防止在柔性显示屏绑定产生不良的背膜结构及其制备方法、柔性显示屏。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种柔性显示屏用背膜结构,包括:柔性基底;位于所述柔性基底上、且与柔性显示屏的绑定区对应的位置处的表面硬化处理层。
优选的是,所述背膜结构还包括:位于所述柔性基底上的胶层;所述胶层具有与所述表面硬化处理层相适配的第一开口,且所述表面硬化处理层限定在所述第一开口内。
进一步优选的是,所述胶层的厚度等于所述表面硬化处理层的厚度。
进一步优选的是,所述胶层包括压敏胶。
进一步优选的是,在所述胶层上方覆盖有离型膜。
优选的是,所述表面硬化处理层的材料包括硅氧烷。
优选的是,所述柔性基底的材料包括:PI、PET、COP、TAC中任意一种高分子薄膜材料。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种柔性显示屏用背膜结构的制备方法,其包括:在柔性基底上、且与柔性显示屏的绑定区对应的位置处形成包括表面硬化处理层的步骤。
优选的是,所述在柔性基底上、且与柔性显示屏的绑定区对应的位置处形成包括表面硬化处理层的步骤,具体包括:
在所述柔性基底上,形成可剥离胶层;其中,所述可剥离胶层具有与所述表面硬化处理层相适配的第二开口;
对所述可剥离胶层进行烘干处理,以使所述可剥离胶层固化;
将表面硬化材料液涂布在固化后的可剥离胶层上;
对形成表面硬化材料液的所述柔性基底,进行烘烤、固化处理,形成表面硬化材料层;
使用CO2激光器镭射所述柔性基底与所述第二开口对应的位置的轮廓;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710858437.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种重质油和重质蜡分离处理系统
- 下一篇:一种煤焦油回烧式煤气发生装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造