[发明专利]一种塑封铜键合引线集成电路开封方法

权利要求书

1.一种塑封铜键合引线集成电路开封方法，其特征在于，利用激光将塑封料削薄，缩短酸接触铜键合引线的时间；在器件的背面进行加热，缩短酸接触铜丝的面积和温度；调节开封用酸的配比，减弱酸对铜的腐蚀性，对塑封铜键合引线集成电路进行手工开封，实现开封过程中对铜键合引线的保护，通过清洗程序完成对开封后器件的清洗，实现完整开封，包括以下步骤：

S1、在X光下定位器件的芯片的位置以及键合丝的种类，确定开封方案和刻蚀区域；

S2、采用激光对器件的塑封料进行减薄操作，减薄厚度至3.0mm；

S3、配置浓硫酸和浓硝酸的混合溶液并静置，所述浓硫酸和浓硝酸体积比为1:4，静置时间为5min；

S4、将加热炉开机，将器件放入步骤S3制备的混合溶液中浸润，然后将器件正面朝上放置在加热炉上加热15S后取下所述器件，加热炉的温度为290℃，所述加热炉表面的加热板设置有防酸保护层，将步骤S3制备的混合溶液滴到所述器件上激光开封好的窗口位置，放加热炉进行加热；

S5、对步骤S4取下的所述器件进行观察，如果芯片和器件的键合丝没有完整暴露出来，将所述器件浸润后再次放到加热炉上进行加热，直到将芯片和器件的键合丝完整的暴露出来，超声波清洗溶液包括丙酮、酒精和去离子水溶液，先用丙酮清洗，然后使用去离子水清洗，最后采用丙酮或酒精再次清洗并放置在滤纸上晾干；

S6、将步骤S5开封后的器件进行超声清洗，然后取出放置在滤纸上晾干,试验后铜键合丝均为从键合丝中部断裂，键合数据范围为6.56gf，键合数据均值μ的置信区间为(8.2815gf，8.9911gf)，标准差σ的置信区间为(1.6580，2.1647)。