[发明专利]一种OLED光源、显示装置及制备方法有效
申请号: | 201710834149.3 | 申请日: | 2017-09-15 |
公开(公告)号: | CN107644892B | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | 彭宽军;邹祥祥 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 朱亲林 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 光源 显示装置 制备 方法 | ||
本发明公开了一种OLED光源、显示装置及制备方法,属于OLED相关技术领域。OLED光源包括阵列排布的灯珠;灯珠之间设置有用于连接阳极的金属走线;金属走线上形成光传感器,且使得金属走线作为光传感器的感应电极;光传感器对应金属走线的上方制备有驱动电极;金属走线对应驱动电极的位置开设有通孔,光传感器通过通孔接收外部光信号。由于仅在金属走线上增加活性层,使得工艺简单且兼容已有工艺设备,尤其是利用已有的金属走线能够大大降低成本。由于光传感器位于光源对应的金属走线中,具有更加准确的识别精度。因此,本申请所述OLED光源、显示装置及制备方法能够在增加遥感控制功能的同时简化相关工艺,能够降低成本并且提高控制效果和控制精度。
技术领域
本发明涉及OLED相关技术领域,特别是指一种OLED光源、显示装置及制备方法。
背景技术
有机电致发光(OLED,Organic Light Emitting Diode)装置具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性,因此受到广泛的关注,并作为新一代发光单元或者显示设备,被广泛应用在光源、手机屏幕、电脑显示器、全彩电视等各个领域中。同时,随着人们生活水平的不断提高,对相应的设备智能性和舒适性也提出了更高的要求,例如现在很多设备都由原始的人工手动控制-通过遥控器控制-最新的遥感动作识别,而需要实现非接触的遥感控制首先需要使得装置具有感光的功能。而在常见的OLED光源或者相应设备中想要实现遥感控制或者感光功能一般都是通过外置的红外等设备实现,这样不仅会使得整体设备分离、不利于携带或放置,而且存在信号传递以及兼容性问题,最终导致控制效果不佳。
因此,在实现本申请的过程中,发明人发现现有技术至少存在以下问题:当前OLED光源或者相应设备在实现感光功能时,需要外置相应的光传感器,这样不仅会增加工艺难度和成本,而且控制效果和准确性也不高。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提出一种OLED光源、显示装置及制备方法,能够在增加感光功能的同时简化相关工艺,进而能够降低成本并且提高控制效果和控制精度。
基于上述目的本发明提供的一种OLED光源,所述OLED光源包括阵列排布的灯珠;灯珠之间设置有用于连接所有阳极的金属走线;所述金属走线上形成光传感器,并且使得金属走线作为光传感器的感应电极;所述光传感器上对应金属走线的上方制备有驱动电极;所述金属走线对应驱动电极的位置开设有通孔,所述光传感器通过所述通孔接收外部光信号。
可选的,所述驱动电极与阳极位于同一层且相互隔离。
可选的,所述光传感器位于所述驱动电极的下方,电致发光层位于所述阳极的上方。
可选的,所述驱动电极与阳极通过一次构图工艺同时形成。
可选的,所述金属走线设置在基板上并且形成网格状分区;阳极基于所述网格状分区阵列排布且通过过孔与金属走线连接。
可选的,所述光传感器采用PIN结构并且所述PIN结构采用半导体材料作为活性层。
可选的,所述PIN结构采用的半导体材料分别为:p-a-Si:H、i-a-Si:H、n-a-Si:H;
或者为:p-ZnO、i-ZnO、n-ZnO;
或者为:p-IGZO、i-IGZO、n-IGZO;
或者为:p-GaN、i-GaN、n-GaN。
本申请还提供了一种显示装置,所述显示装置包括上述任一项所述的OLED光源。
本申请还提供了一种OLED光源制备方法,包括:
在基板上形成网格状分区的金属走线且在金属走线的预定位置开有通孔;
在所述金属走线上形成钝化层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的