[发明专利]一种OLED光源、显示装置及制备方法有效

专利信息
申请号: 201710834149.3 申请日: 2017-09-15
公开(公告)号: CN107644892B 公开(公告)日: 2020-04-14
发明(设计)人: 彭宽军;邹祥祥 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32
代理公司: 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 代理人: 朱亲林
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 oled 光源 显示装置 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种OLED光源,其特征在于,所述OLED光源包括阵列排布的灯珠;灯珠之间设置有用于连接所有阳极的金属走线;所述金属走线上形成光传感器,并且使得金属走线作为光传感器的感应电极;所述光传感器上对应金属走线的上方制备有驱动电极;所述金属走线对应驱动电极的位置开设有通孔,所述光传感器通过所述通孔接收外部光信号。

2.根据权利要求1所述的OLED光源,其特征在于,所述驱动电极与阳极位于同一层且相互隔离。

3.根据权利要求1所述的OLED光源,其特征在于,所述光传感器位于所述驱动电极的下方,电致发光层位于所述阳极的上方。

4.根据权利要求1所述的OLED光源,其特征在于,所述驱动电极与阳极通过一次构图工艺同时形成。

5.根据权利要求1所述的OLED光源,其特征在于,所述金属走线设置在基板上并且形成网格状分区;阳极基于所述网格状分区阵列排布且通过过孔与金属走线连接。

6.根据权利要求1所述的OLED光源,其特征在于,所述光传感器采用PIN结构并且所述PIN结构采用半导体材料作为活性层。

7.根据权利要求6所述的OLED光源,其特征在于,所述PIN结构采用的半导体材料分别为:p-a-Si:H、i-a-Si:H、n-a-Si:H;

或者为:p-ZnO、i-ZnO、n-ZnO;

或者为:p-IGZO、i-IGZO、n-IGZO;

或者为:p-GaN、i-GaN、n-GaN。

8.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求1-7任一项所述的OLED光源。

9.一种OLED光源制备方法,其特征在于,包括:

在基板上形成网格状分区的金属走线且在金属走线的预定位置开有通孔;

在所述金属走线上形成钝化层;

在钝化层上形成光传感器的活性层;

在所述光传感器的活性层上形成阳极层图案以及驱动电极,且使得阳极层通过过孔与金属走线连接,驱动电极位于金属走线的通孔的上方;

在阳极层以及驱动电极上方形成像素界定层;

在像素界定层上制备电致发光层和阴极层;

在阴极层上方形成封装层。

10.根据权利要求9所述的OLED光源制备方法,其特征在于,所述阳极层和驱动电极通过一次构图工艺同时形成。

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