[发明专利]一种多晶硅生产方法在审
| 申请号： | 201710798943.7 | 申请日： | 2017-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN109467089A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 大卫·米克森;本·菲尔斯曼 | 申请（专利权）人： | 江苏中能硅业科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03;C01B33/029;C01B33/035 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 221004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氯化氢 化学气相沉积反应器 氢气混合气体 多晶硅生产 尾气回收系统 反应器内壁 热分解反应 产品纯度 高温环境 氯代硅烷 氢气发生 雾化现象 反应器 多晶硅 硅沉积 硅粉 沉积 尾气 回收 返回 节约 | ||
1.一种多晶硅生产方法，包括在化学气相沉积反应器内，通过含硅原料气与氢气发生化学气相沉积反应生产多晶硅，反应尾气经尾气回收系统进行处理，其特征在于，所述从反应尾气中一次性分离得到的氯化氢与氢气的混合气体，不再进行分离，直接返回至化学气相沉积反应器，作为原料参与反应。
2.根据权利要求1所述的多晶硅生产方法，其特征在于，所述的氯化氢与氢气的混合气体经检测装置后，返回至化学气相沉积反应器参与反应。
3.根据权利要求2所述的多晶硅生产方法，其特征在于，所述的检测装置为传感器，能传感、检测并反馈混合气体中氯化氢、氢气的含量。
4.根据权利要求1或2所述的多晶硅生产方法，其特征在于，所述的化学气相沉积反应器包括还原炉或流化床反应器。
5.根据权利要求1或2所述的多晶硅生产方法，其特征在于，还包括补充氯化氢的进气管线，通过补充的氯化氢调节进气中含硅原料气体与氢气和氯化氢的含量比例。
6.根据权利要求4所述的多晶硅生产方法，其特征在于，所述的含硅原料气体包括卤代硅烷或硅烷，通式为SiHnX4-n，其中，n=0-4，X=Cl、Br、I。
7.根据权利要求6所述的多晶硅生产方法，其特征在于，所述的含硅原料气体为氯代硅烷或硅烷，通式为SiHnX4-n，，其中，n=0-4，X=Cl。
8.根据权利要求1或2所述的多晶硅生产方法，其特征在于，所述的尾气回收系统包括换热器、过滤器、喷淋塔和精馏塔，所述换热器与化学气相沉积反应器相连接，所述的过滤器与换热器相连接；所述的过滤器与喷淋塔连通，所述的精馏塔与喷淋塔连接。
9.根据权利要求8所述的多晶硅生产方法，其特征在于，所述的氯化氢和氢气的混合气体从喷淋塔塔顶一次性收集得到。
10.根据权利要求7所述的多晶硅生产方法，其特征在于，所述的含硅原料气体、氯化氢与氢气的进料摩尔含量分别为49%~69%、2%~4%、29%~49%。
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