[发明专利]一种二氧化钛覆盖复合膜的制备方法在审
申请号: | 201710778010.1 | 申请日: | 2017-09-01 |
公开(公告)号: | CN107622937A | 公开(公告)日: | 2018-01-23 |
发明(设计)人: | 朱建国;况军;徐贤德 | 申请(专利权)人: | 苏州罗格特光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L31/0336 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 215156 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化 覆盖 复合 制备 方法 | ||
1.一种二氧化钛覆盖复合膜的制备方法,其特征在于,由以下步骤组成:
(1)选用FTO 玻璃作为基底,以氯化亚锡及硫化钠的水溶液作为反应液,采用连续离子层吸附法制备15个循环的硫化亚锡纳米片状阵列薄膜;
(2)将五水硫酸铜晶体,七水硫酸锌晶体和二水硫酸锡晶体溶解在乙二醇溶液中,得到硫酸根摩尔浓度为80 mmol/l的电泳液,通过电泳沉积方法在硫化亚锡纳米片状阵列薄膜上电泳沉积铜锌锡硫薄膜镀层,形成电泳复合沉积膜片;
(3)采用雾化喷涂法将二氧化钛溶胶液均匀分布在电泳复合沉积膜片表面,得到二氧化钛覆盖复合膜,随后对其进行干燥及硫化退火处理,形成具有蜂窝状多孔结构的二氧化钛覆盖复合膜。
2.根据权利要求1所述的二氧化钛覆盖复合膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中氯化亚锡和硫化钠的水溶液浓度为1 mol/l。
3.根据权利要求1所述的二氧化钛覆盖复合膜的制备方法,其特征在于,所述经步骤(3)硫化退火处理后的二氧化钛覆盖复合膜孔径为200~300 nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造