[发明专利]气相沉积炉的均匀供气装置及气相沉积炉有效
| 申请号: | 201710773743.6 | 申请日: | 2017-08-31 |
| 公开(公告)号: | CN109423623B | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
| 发明(设计)人: | 鞠涛;张立国;李哲;范亚明;张泽洪;张宝顺 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458 |
| 代理公司: | 南京艾普利德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32297 | 代理人: | 陆明耀 |
| 地址: | 215125 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 沉积 均匀 供气 装置 | ||
1.气相沉积炉的均匀供气装置,其特征在于:包括至少一条呈T字形的匀气管路(1201),所述匀气管路(1201)上的一组出气孔(1205)的朝向与反应气体的上升方向相反且背向工件;所述匀气管路(1201)包括气体导入管(1202),所述气体导入管(1202)的一端连接有三通过渡接头(1203),所述三通过渡接头(1203)共轴的两个接口分别连接一匀气管(1204),所述匀气管(1204)上设置所述出气孔(1205);所述匀气管路(1201)为至少两条且平行设置,每条匀气管路(1201)与一个用于放置工件并驱动工件自转的驱动机构对应,每条所述匀气管路(1201)分别连接供气管路(170),所述供气管路(170)至少包括液态反应源供应管路(1701)以及载气供应管路(1702),它们均连接混合装置(1703)且通过所述混合装置(1703)将液态反应源气化并与载气混合,所述混合装置(1703)连接并联的供气支路(1704)及稳压管路(1705),所述供气支路(1704)包括一组并联的且分别与一条匀气管路(1201)连接的供气分路;每个供气分路单独调整与其连接的匀气管路(1201)的反应气体供应量。
2.根据权利要求1所述的气相沉积炉的均匀供气装置,其特征在于:所述载气供应管路(1702)包括并联的氩气供应支路和氢气供应支路。
3.根据权利要求1所述的气相沉积炉的均匀供气装置,其特征在于:所述供气支路(1704)的外周设置有加热带(1706)。
4.根据权利要求1所述的气相沉积炉的均匀供气装置,其特征在于:所述混合装置是液体蒸发器控制系统。
5.根据权利要求1-4任一所述的气相沉积炉的均匀供气装置,其特征在于:所述稳压管路(1705)至少包括管道上依次设置的第一阀们、泄压阀(C5)、第二阀门及抽气泵。
6.气相沉积炉,包括真空室(8),其特征在于:所述真空室(8)包括圆柱形的真空室主体(81)以及位于所述真空室主体(81)的两个圆形开口处的密封门(82),所述真空室主体(81)的外圆周面连接支架(9),还包括权利要求1-5任一所述的均匀供气装置。
7.根据权利要求6所述的气相沉积炉,其特征在于:所述匀气管路(1201)的出气孔(1205)均位于所述真空室(8)内的石墨毡材料的保温箱(11)中。
8.根据权利要求6所述的气相沉积炉,其特征在于:所述真空室(8)内设置有工件驱动组件(10),所述工件驱动组件(10)包括至少一对配合支撑并驱动工件自转,且持续改变与工件接触位置的第一转盘(2)和第二转盘(3),所述第一转盘(2)和第二转盘(3)的对数 与所述匀气管路(1201)相同,且一对第一转盘(2)和第二转盘(3)位于一条匀气管路(1201)上方。
9.根据权利要求8所述的气相沉积炉,其特征在于:所述第一转盘(2)和第二转盘(3)相同且它们中的一个连接驱动其绕其中心轴自转的驱动装置,它们均包括至少一个内凹于它们的圆周面且宽度相同的卡槽(7),所述卡槽(7)包括具有深度差的浅槽区(71)和深槽区(72)。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





