[发明专利]半导体装置、电源电路、计算机和半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710766840.2 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN108321198B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 清水达雄;斋藤尚史;大野浩志 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 金光华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 电源 电路 计算机 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，具备：
第一氮化物半导体层，含有镓；
第二氮化物半导体层，设置于所述第一氮化物半导体层上，带隙比所述第一氮化物半导体层大，并且含有镓；
第一电极，设置于所述第一氮化物半导体层上，与所述第一氮化物半导体层电连接；
第二电极，设置于所述第一氮化物半导体层上，与所述第一氮化物半导体层电连接；
栅电极，在所述第一氮化物半导体层上设置于所述第一电极与所述第二电极之间；
导电层，设置于所述第二氮化物半导体层上，与所述第二电极之间的第一距离小于所述第二电极与所述栅电极之间的第二距离，与所述第一电极或者所述栅电极电连接；
第一氧化铝层，至少一部分设置于所述栅电极与所述第二电极之间，设置于所述第二氮化物半导体层与所述导电层之间；
氧化硅层，至少一部分设置于所述第一氧化铝层与所述导电层之间；以及
第二氧化铝层，至少一部分设置于所述氧化硅层与所述导电层之间，
所述第一氧化铝层含有硼、镓、钪、钇、镧系元素、镁、钙、锶、钡以及氮的群中的至少一个第一元素，
所述第二氧化铝层含有硼、镓、钪、钇、镧系元素、镁、钙、锶、钡以及氮的群中的至少一个第二元素，
所述至少一个第一元素以及所述至少一个第二元素是氮，所述第二氧化铝层的氮浓度高于所述第一氧化铝层的氮浓度。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第一氧化铝层中的所述至少一个第一元素的浓度是铝的浓度的10％以上，
所述第二氧化铝层中的所述至少一个第二元素的浓度是铝的浓度的10％以上。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第一氧化铝层、所述氧化硅层以及所述第二氧化铝层设置于所述第一氮化物半导体层与所述栅电极之间。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
在所述第二氧化铝层与所述栅电极之间，还具备氮化铝层。
5.一种半导体装置，具备：
第一氮化物半导体层，含有镓；
第二氮化物半导体层，设置于所述第一氮化物半导体层上，带隙比所述第一氮化物半导体层大，并且含有镓；
第一电极，设置于所述第一氮化物半导体层上，与所述第一氮化物半导体层电连接；
第二电极，设置于所述第一氮化物半导体层上，与所述第一氮化物半导体层电连接；
栅电极，在所述第一氮化物半导体层上设置于所述第一电极与所述第二电极之间；
导电层，设置于所述第二氮化物半导体层上，与所述第二电极之间的第一距离小于所述第二电极与所述栅电极之间的第二距离，与所述第一电极或者所述栅电极电连接；
第一氧化铝层，至少一部分设置于所述栅电极与所述第二电极之间，设置于所述第二氮化物半导体层与所述导电层之间；
氧化硅层，至少一部分设置于所述第一氧化铝层与所述导电层之间；以及
第二氧化铝层，至少一部分设置于所述氧化硅层与所述导电层之间，
所述第一氧化铝层含有硼、镓、钪、钇、镧系元素、镁、钙、锶、钡以及氮的群中的至少一个第一元素，
所述第二氧化铝层含有硼、镓、钪、钇、镧系元素、镁、钙、锶、钡以及氮的群中的至少一个第二元素，
所述氧化硅层的所述至少一个第一元素的浓度低于所述第一氧化铝层的所述至少一个第一元素的浓度，
所述氧化硅层的所述至少一个第二元素的浓度低于所述第二氧化铝层的所述至少一个第二元素的浓度。
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