[发明专利]一种显示面板、其制作方法及显示装置有效
申请号: | 201710765399.6 | 申请日: | 2017-08-30 |
公开(公告)号: | CN107464776B | 公开(公告)日: | 2020-05-26 |
发明(设计)人: | 宫奎;冯庆立 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 制作方法 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示面板、其制作方法及显示装置,该制作方法,包括:在衬底基板上形成一层金属层的图形,以及位于金属层之上的至少一层绝缘层;对各绝缘层进行刻蚀,形成贯穿各绝缘层的至少一个过孔;在绝缘层之上形成金属氧化物导电层的图形,且金属氧化物导电层通过各过孔与金属层电性连接;采用还原性气体,对位于过孔内的金属氧化物导电层进行等离子体处理,以使金属氧化物导电层在与金属层接触的表面还原出金属颗粒。本发明实施例提供的制作方法,通过采用还原性气体对过孔内的金属氧化物导电层进行等离子体处理,使金属氧化物导电层与金属层接触的表面还原出金属颗粒,从而降低了接触电阻,提高了显示效果。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤指一种显示面板、其制作方法及显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展,显示屏或触摸屏已经广泛应用于人们的生活中,其中,液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点,在市场中占据重要地位。有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Diode,OLED)具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点,也已经被广泛应用于市场中。
现有技术中,金属氧化物导电层在与金属层接触时,在接触界面处,金属氧化物导电层中的金属氧化物容易将金属层表面处的金属氧化,造成界面处的接触阻抗较高,影响显示器件的性能,例如导致信号传输延迟,影响显示画面。
例如,阵列基板中的像素电极层一般由透明导电材料氧化铟锡(Indium tinoxide,ITO)制作,像素电极层中的像素电极在显示区域中通过过孔与薄膜晶体管的漏极相连,在非显示区域中,通过过孔与数据(data)线连接,像素电极在于漏极或数据线接触的界面处,氧化铟锡容易氧化接触界面处的金属,造成接触界面处的接触阻抗较高。
因此,如何降低金属氧化物导电层与金属层的接触电阻是急需解决的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供了一种显示面板、其制作方法及显示装置,用以解决现有技术中存在的金属氧化物导电层与金属层的接触电阻较高的问题。
本发明实施例提供了一种显示面板的制作方法,包括:
在衬底基板上形成一层金属层的图形,以及位于所述金属层之上的至少一层绝缘层;
对各所述绝缘层进行刻蚀,形成贯穿各所述绝缘层的至少一个过孔;
在所述绝缘层之上形成金属氧化物导电层的图形,且所述金属氧化物导电层通过各所述过孔与所述金属层电性连接;
采用还原性气体,对位于所述过孔内的所述金属氧化物导电层进行等离子体处理,以使所述金属氧化物导电层在与所述金属层接触的表面还原出金属颗粒。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的制作方法中,所述在所述绝缘层之上形成金属氧化物导电层的图形,包括:
在所述绝缘层之上形成金属氧化物导电层,以及位于所述金属氧化物导电层之上的光刻胶层;
对所述光刻胶层进行光刻,形成位于所述光刻胶层的光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域,以及光刻胶完全去除区域;所述光刻胶完全保留区域对应于所述金属氧化物导电层位于所述绝缘层的图形之上的图形,所述光刻胶部分保留区域对应于所述金属氧化物导电层位于各所述过孔内的图形,所述光刻胶完全去除区域对应于所述金属氧化物导电层的图形以外的区域;
对所述金属氧化物导电层进行刻蚀处理。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的制作方法中,所述采用还原性气体,对位于所述过孔内的所述金属氧化物导电层进行等离子体处理,包括:
采用灰化工艺去除所述光刻胶部分保留区域的所述光刻胶层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造