[发明专利]有机发光二极管装置在审
申请号: | 201710751703.1 | 申请日: | 2014-01-23 |
公开(公告)号: | CN107579100A | 公开(公告)日: | 2018-01-12 |
发明(设计)人: | 金南珍;朴澈桓 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人: | 刘灿强,薛义丹 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 装置 | ||
本申请是申请日为2014年1月23日、申请号为201410031207.5的发明专利申请“有机发光二极管装置及其制造方法”的分案申请。
技术领域
本公开涉及一种具有用于防止水分从外部渗透的改进的包封结构的有机发光二极管装置及其制造方法。
背景技术
有机发光二极管装置具有下述特点:有机发光二极管单元因氧或水分的渗透而劣化。因此,为了防止氧或水分从外部渗透,通常使用用于密封和保护有机发光二极管单元的包封结构。
作为包封结构,已经广泛地采用了薄膜包封结构,该薄膜包封结构利用有机层和无机层交替层叠的多层结构来覆盖有机发光二极管单元。有机发光二极管单元通过将有机层和无机层交替地层叠在基板的有机发光二极管单元上而被密封。
有机层用于为平板显示器提供柔性,而无机层用于防止氧或水分的渗透。因此,为了防止氧或水分从外部渗透,有机层与有机发光二极管单元相邻地位于内部,而无机层位于有机发光二极管单元的外部。
然而,通过在沉积单体之后由于暴露于紫外光等使单体固化来形成有机层,通常,为了沉积单体,已经使用了闪蒸法。当沉积蒸发后的单体时,一些单体流入到掩模下部,因此会将一些单体沉积在不期望沉积的区域中。由于沉积区域是仅期望无机层的区域,因此当有机层存在于该区域中时,粘合力下降,并且因此可能发生松开的问题,进一步而言,可能会导致水分和氧从外部的渗透,由此会出现黑点缺陷。
发明内容
本公开已经致力于提供一种包括这样的薄膜包封层的有机发光二极管装置及其制造方法,即,该薄膜包封层具有增强的粘合力,并且通过形成防止单体流入到掩模下部的阻挡物使得仅在需要沉积的区域中执行沉积,从而防止水分和氧从外部渗透。
本公开的一个实施例提供了一种有机发光二极管装置,所述有机发光二极管装置包括:基板;有机发光二极管单元,形成在基板的一部分上;薄膜包封层,形成为覆盖有机发光二极管单元,其中,薄膜包封层具有一个或多个无机层和一个或多个有机层交替层叠的多层结构,阻挡物形成在位于所述基板的一部分上的有机发光二极管单元的外部,薄膜包封层的有机层形成在由阻挡物限定的区域内。
有机发光二极管单元可以包括顺序形成在所述基板的一部分上的第一电极、有机发射层和第二电极。
有机层和无机层的数量可以分别在2层到20层之间。
阻挡物的高度可以等于或低于薄膜包封层中的一个或多个无机层中的离有机发光二极管单元最远的无机层的高度。
形成阻挡物的材料可以是有机材料或无机材料,详细地说,形成阻挡物的材料可以是包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂或者丙烯酸树脂中的一种或多种的有机材料或者可以是包括硅化合物的无机材料。
本公开的另一实施例提供了一种制造有机发光二极管装置的方法,所述方法包括:准备基板;在基板的一部分上形成有机发光二极管单元;与位于所述基板的一部分上有机发光二极管单元分隔开地形成阻挡物;形成薄膜包封层,以覆盖有机发光二极管单元,其中,形成薄膜包封层的步骤包括形成多个无机层以及在由阻挡物限定的区域内形成多个有机层。
形成有机发光二极管单元的步骤可以包括:在所述基板的一部分上形成绝缘层;在绝缘层上形成第一电极的图案;形成像素限定层,使得第一图案化电极按像素单元分隔开;在第一电极上形成有机发射层;在有机发射层上形成第二电极,其中,形成阻挡物的步骤与形成像素限定层的步骤同时执行。
形成多个无机层的步骤和形成多个有机层的步骤可以交替地分别执行2次到20次。
阻挡物的高度可以等于或低于多个无机层中离有机发光二极管单元最远的无机层的高度。
形成阻挡物的材料可以是有机材料或无机材料,详细地说,形成阻挡物的材料可以是包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂或者丙烯酸树脂中的至少一个的有机材料或者可以是包括硅化合物的无机材料。
在根据本公开实施例的有机发光二极管装置中,由于通过形成阻挡物来防止单体流入到掩模下部而仅在需要沉积的区域中执行沉积,因此能够改善粘合力并防止水分和氧从外部渗透。
此外,由于通过仅在需要沉积的区域执行沉积而在产品设计期间减小并改进死空间(dead space),因此其优势在于加强了产品竞争力。
此外,由于根据本公开的阻挡物可以利用与形成像素限定层时使用的材料相同的材料以及与形成像素限定层时使用的掩模相同的掩模来形成,因此不需要另外的过程和额外的材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的