[发明专利]有机发光二极管装置在审
| 申请号： | 201710751703.1 | 申请日： | 2014-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN107579100A | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 金南珍;朴澈桓 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 刘灿强,薛义丹 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 发光二极管 装置 | ||
1.一种有机发光二极管装置，所述有机发光二极管装置包括：
基板；
有机发光二极管单元，位于所述基板上；
第一阻挡物，设置在所述基板上的死空间中；以及
薄膜包封层，设置在所述有机发光二极管单元上，
其中，所述薄膜包封层包括设置在由所述第一阻挡物限定的区域内部的有机层和第一无机层。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管装置，其中，所述薄膜包封层具有一个或多个无机层和一个或多个有机层交替地设置的多层结构。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管装置，其中，所述薄膜包封层还包括设置在由所述第一阻挡物限定的所述区域内部的第二无机层。
4.如权利要求3所述的有机发光二极管装置，其中，所述第二无机层设置在所述第一阻挡物上。
5.如权利要求3所述的有机发光二极管装置，其中，所述有机发光二极管装置还包括在所述基板的所述死空间中设置在由所述第一阻挡物限定的所述区域外部的第二阻挡物。
6.如权利要求5所述的有机发光二极管装置，其中，所述有机发光二极管装置还包括设置在由所述第一阻挡物限定的所述区域内部的像素限定层，
其中，所述第二阻挡物具有与所述像素限定层相同的材料。
7.如权利要求5所述的有机发光二极管装置，其中，所述第二阻挡物包括从包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂和丙烯酸类树脂的有机材料和包括硅化合物的无机材料中选择的至少一种材料。
8.如权利要求5所述的有机发光二极管装置，其中，所述第一无机层和所述第二无机层在由所述第二阻挡物限定的区域内部彼此直接接触。
9.如权利要求3所述的有机发光二极管装置，其中，所述有机层设置在所述第一无机层与所述第二无机层之间。
10.如权利要求1所述的有机发光二极管装置，其中，所述第一阻挡物具有虚线形状。
11.如权利要求1所述的有机发光二极管装置，所述有机发光二极管装置还包括设置在由所述第一阻挡物限定的所述区域内部的像素限定层。
12.如权利要求11所述的有机发光二极管装置，所述第一阻挡物具有与所述像素限定层相同的材料。
13.如权利要求1所述的有机发光二极管装置，其中，所述第一阻挡物包括从包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂和丙烯酸类树脂的有机材料和包括硅化合物的无机材料中选择的至少一种材料。
14.一种有机发光二极管装置，所述有机发光二极管装置包括：
基板；
有机发光二极管单元，位于所述基板上；
突出物，设置在所述基板上的死空间中；以及
薄膜包封层，设置在所述有机发光二极管单元上，
其中，所述薄膜包封层包括设置在由所述突出物限定的区域内部的有机层和第一无机层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
