[发明专利]真空规连接组件和半导体设备有效
申请号: | 201710707688.0 | 申请日: | 2017-08-17 |
公开(公告)号: | CN109411385B | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 张鹏 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G01L9/00 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 李秋华 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 连接 组件 半导体设备 | ||
1.一种真空规连接组件,用于将真空规与反应腔室密闭连通,其特征在于,所述真空规连接组件包括依次连接的连接管、收集件和开关阀,所述连接管用于连通所述反应腔室和所述收集件,并向所述收集件引入所述反应腔室内的气流,所述收集件用于收集所述气流中的颗粒杂质,所述开关阀用于连接所述真空规和所述收集件,以控制所述真空规与所述反应腔室之间的通断;
所述连接管与所述收集件的贯通方向、所述收集件与所述开关阀的贯通方向、所述开关阀与所述真空规的贯通方向之间两两相互垂直;
所述收集件包括本体和设置在所述本体内的收集腔;
所述开关阀的与所述收集腔的连接位置位于所述本体的顶壁,所述连接管与所述收集腔的连接位置处于所述本体的侧壁上,且远离所述本体的顶壁。
2.根据权利要求1所述的真空规连接组件,其特征在于,所述收集腔的内径与所述连接管的内径之比为8:1~10:1。
3.根据权利要求1所述的真空规连接组件,其特征在于,所述收集件的容积与所述连接管的容积之比为10:1~15:1。
4.根据权利要求1所述的真空规连接组件,其特征在于,所述收集件包括收集部和止挡部,所述收集部呈筒状,所述收集部的顶部开口与所述开关阀连通,所述收集部的底部开口设置有所述止挡部,且所述止挡部与所述收集部可拆卸连接。
5.根据权利要求4所述的真空规连接组件,其特征在于,所述真空规连接组件还包括卡箍,所述卡箍套设在所述止挡部和所述收集部的外侧,以连接所述止挡部和所述收集部。
6.根据权利要求1至5任意一项所述的真空规连接组件,其特征在于,所述开关阀包括角阀。
7.根据权利要求1至6任意一项所述的真空规连接组件,其特征在于,所述真空规连接组件还包括加热件,所述加热件套设在所述连接管的外部。
8.一种半导体设备,包括反应腔室、真空规连接组件和真空规,其特征在于,所述真空规连接组件包括权利要求1至7任意一项所述的真空规连接组件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造