[发明专利]具有读取阈值估计的存储器系统及其操作方法有效
申请号: | 201710681467.0 | 申请日: | 2017-08-10 |
公开(公告)号: | CN107731258B | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | 大卫·皮尼亚泰利;张帆 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26;G11C16/34 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹;王朋飞 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 读取 阈值 估计 存储器 系统 及其 操作方法 | ||
本发明提供一种存储器系统的设备及其操作方法,该存储器系统的设备包括:多个存储器装置;以及控制器,其联接到多个存储器装置,其中控制器被配置成:至少利用初始读取阈值执行对称OVS读取,并且创建对称读取结果;至少利用初始读取阈值执行非对称OVS读取,并且创建非对称读取结果;至少根据对称读取结果和非对称读取结果调整初始读取阈值,并且创建最佳读取阈值;以及利用最佳读取阈值执行数据恢复进程。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年8月10日提交的申请号为62/373,242的美国临时申请的权益,其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开的示例性实施例涉及一种存储器系统及其操作方法。
背景技术
在NAND闪速存储系统中,读取参考电压被用于将NAND闪速存储器单元的可能阈值电压范围划分成几个窗口。逻辑值被指定给窗口中的每一个。单元的逻辑值由单元的阈值电压所在的电压窗口确定。例如,对于单层单元(SLC),需要一个读取参考电压。当单元的阈值电压小于指定的读取参考电压时,单元的逻辑值被设置为“1”;否则,单元的逻辑值被设置为“0”。对于多层单元(MLC),使用三个读取参考电压。对于三层单元(TLC)装置,存在七个读取参考电压。
由于诸如相邻单元的编程和读取操作、编程/擦除周期的数量和保持时间的各种原因,单元的阈值电压可能与其预期值不同。因此,具有预期值的单元的阈值电压可能偏移到具有不同逻辑值的另一电压窗口。在该情况下,当单元被读取时,错误逻辑值被给出并且该错误将在原始位错误率(RBER)测量中被计数。最佳读取参考电压可以实现最小的RBER。
目前,存在用于错误校正控制方案的两种类型的算法,即硬解码算法和软解码算法。对于硬解码算法,使用表示输入信息为“0”或“1”的硬信息。然而,软信息被用于软解码算法,该软信息不仅告知解码器输入信息是“0”还是“1”,而且向解码器提供输入信息为“0”或“1”的可能性。通常,如果提供软信息,则软解码算法比硬解码算法提供更好的错误校正性能。在NAND闪速存储系统中,错误校正控制方案将首先尝试硬解码。当硬解码失败时,将使用软解码算法。
因此,仍然需要用于读取阈值估计和调整的存储器系统及其操作方法。
发明内容
本公开的实施例涉及一种存储器系统及其能够定位该存储器系统的最佳读取参考电压的操作方法。
根据本发明的实施例,提供一种存储器系统的操作方法,其包括:至少利用初始读取阈值执行对称OVS读取,并且创建对称读取结果;至少利用初始读取阈值执行非对称OVS读取,并且创建非对称读取结果;至少根据对称读取结果和非对称读取结果调整初始读取阈值,并且创建最佳读取阈值;以及利用最佳读取阈值执行数据恢复进程。
根据本发明的实施例,提供一种包括存储器系统的存储器系统的设备及其操作方法,该存储器系统的设备包括:多个存储器装置;以及控制器,其联接到多个存储器装置,其中控制器被配置成:至少利用初始读取阈值执行对称OVS读取,并且创建对称读取结果;至少利用初始读取阈值执行非对称OVS读取,并且创建非对称读取结果;至少根据对称读取结果和非对称读取结果调整初始读取阈值,并且创建最佳读取阈值;以及利用最佳读取阈值执行数据恢复进程。
根据本发明的实施例,提供一种存储器系统,其包括:处理器;有形计算机可读存储介质,其联接到处理器,嵌入由处理器执行的非暂时性计算机编程产品,包括计算机指令,该计算机指令被配置成:至少利用初始读取阈值执行对称OVS读取,并且创建对称读取结果;至少利用初始读取阈值执行非对称OVS读取,并且创建非对称读取结果;至少根据对称读取结果和非对称读取结果调整初始读取阈值,并且创建最佳读取阈值;以及利用最佳读取阈值执行数据恢复进程。
附图说明
通过参照附图的以下具体实施方式,本发明的以上和其它特征及优点对于本发明所属领域的技术人员将变得更加显而易见,其中:
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