[发明专利]开关器件和制造开关器件的方法

权利要求书

1.一种开关器件，其特征在于包括：

半导体衬底；

第一沟槽，所述第一沟槽被设置在所述半导体衬底的上表面中；

第二沟槽，所述第二沟槽被设置在所述半导体衬底的所述上表面中，并且所述第二沟槽与所述第一沟槽间隔开地布置；

栅极绝缘层，所述栅极绝缘层中的每个栅极绝缘层覆盖所述第一沟槽和所述第二沟槽中的对应一个沟槽的内表面；以及

栅极电极，所述栅极电极中的每个栅极电极被布置在所述第一沟槽和所述第二沟槽中的对应一个沟槽中，并且被通过所述栅极绝缘层中的对应一个栅极绝缘层来与所述半导体衬底绝缘，

其中，所述半导体衬底包括：

第一导电类型的第一半导体区，所述第一半导体区被布置在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间，并且经由所述栅极绝缘层来面对所述第一沟槽和所述第二沟槽中的所述栅极电极，

第二导电类型的本体区，所述本体区从下侧来接触所述第一半导体区，并且经由所述栅极绝缘层来面对所述第一沟槽和所述第二沟槽中的所述栅极电极，

所述第一导电类型的第二半导体区，所述第二半导体区从下侧来接触所述本体区，所述第二半导体区通过所述本体区来与所述第一半导体区分离开，并且所述第二半导体区经由所述栅极绝缘层来面对所述第一沟槽和所述第二沟槽中的所述栅极电极，

所述第二导电类型的第一底部半导体区，所述第一底部半导体区被布置在延伸到所述第一沟槽的底表面的区域中，所述第一底部半导体区接触所述第二半导体区，

所述第二导电类型的第二底部半导体区，所述第二底部半导体区被布置在延伸到所述第二沟槽的底表面的区域中，所述第二底部半导体区接触所述第二半导体区，以及

所述第二导电类型的连接半导体区，所述连接半导体区被设置在所述本体区下方的区域的一部分处，所述连接半导体区在从所述本体区的下端的深度到所述第一沟槽和所述第二沟槽的所述底表面的深度的深度范围中从所述第一沟槽延伸以到达所述第二沟槽，所述连接半导体区接触所述第二半导体区，并且所述连接半导体区被连接到所述本体区、所述第一底部半导体区以及所述第二底部半导体区。

2.根据权利要求1所述的开关器件，其特征在于，

所述半导体衬底包括多个所述连接半导体区，并且

在所述第一沟槽和所述第二沟槽的纵向方向上来间隔开地布置所述连接半导体区。

3.根据权利要求1或2所述的开关器件，其特征在于进一步包括：

上部电极，所述上部电极被布置在所述半导体衬底的所述上表面上，

其中，

所述半导体衬底进一步包括所述第二导电类型的本体接触区，所述本体接触区被布置在所述连接半导体区的上方、接触所述上部电极、并且被连接到所述本体区。

4.根据权利要求3所述的开关器件，其特征在于，

所述连接半导体区的第二导电类型杂质浓度低于所述本体接触区的第二导电类型杂质浓度。