[发明专利]存储器装置及存储器系统有效
申请号: | 201710651392.1 | 申请日: | 2017-08-02 |
公开(公告)号: | CN108665928B | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 伊达浩己 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/08 | 分类号: | G11C16/08;G11C16/30 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 装置 系统 | ||
1.一种存储器装置,其特征在于具备:
第1存储单元,存储数据;
第1字线,连接在所述第1存储单元;
第1电路,对所述第1字线供给电压;
第2电路,控制所述第1电路;以及
定序器,控制所述第1电路及所述第2电路;
在对所述第1存储单元写入数据的情况下,
所述定序器判定是否满足条件,
在判定为不满足所述条件的情况下,使所述第2电路产生第1电压,
在判定为满足所述条件的情况下,使所述第2电路产生高于所述第1电压的第2电压,
所述第1电路基于所述第1电压或所述第2电压,将低于所述第2电压的第3电压供给至所述第1字线。
2.根据权利要求1所述的存储器装置,其特征在于还具备第1存储部,存储对所述第1存储单元写入数据的情况下的编程动作次数,
所述定序器判定存储在所述第1存储部的所述编程动作次数是否为第1次数以下,
在判定所述编程动作次数并非第1次数以下的情况下,使所述第2电路产生第1电压,
在判定所述编程动作次数为第1次数以下的情况下,使所述第2电路产生高于所述第1电压的第2电压。
3.一种存储器系统,其特征在于具备存储器装置及控制所述存储器装置的控制器,所述存储器装置具备:
第1存储单元,存储数据;
第1字线,连接在所述第1存储单元;
第1电路,对所述第1字线供给电压;
第2电路,控制所述第1电路;以及
定序器,控制所述第1电路及所述第2电路;且
所述控制器,
在对所述第1存储单元写入数据的情况下,
判定是否满足条件,
在判定为不满足所述条件的情况下,使所述第2电路产生第1电压,
在判定为满足所述条件的情况下,使所述第2电路产生高于所述第1电压的第2电压,
所述第1电路基于所述第1电压或所述第2电压,将低于所述第2电压的第3电压供给至所述第1字线。
4.根据权利要求3所述的存储器系统,其特征在于:
所述控制器还具备第2存储部,存储向所述第1存储单元的数据的写入及删除次数,
所述控制器判定存储在所述第2存储部的所述数据的写入及删除次数是否为第2次数以上,
在判定所述数据的写入及删除次数并非第2次数以上的情况下,使所述第2电路产生第1电压,
在判定所述数据的写入及删除次数为第2次数以上的情况下,使所述第2电路产生高于所述第1电压的第2电压。
5.一种存储器装置,其特征在于具备:
半导体衬底;
第1字线;
第1存储单元,栅极连接在所述第1字线,且一端连接在所述半导体衬底;
第3电路,对所述半导体衬底供给电压;
第4电路,控制所述第3电路;以及
定序器,控制所述第3电路及所述第4电路;
在将所述第1存储单元的数据删除的情况下,
所述定序器判定是否满足条件,
在判定为不满足所述条件的情况下,使所述第4电路产生第4电压,
在判定为满足所述条件的情况下,使所述第4电路产生高于所述第4电压的第5电压,
所述第3电路基于所述第4电压或所述第5电压,将低于所述第4电压的第6电压供给至所述半导体衬底。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于铠侠股份有限公司,未经铠侠股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710651392.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。