[发明专利]存储器装置及存储器系统有效

专利信息
申请号: 201710651392.1 申请日: 2017-08-02
公开(公告)号: CN108665928B 公开(公告)日: 2022-05-27
发明(设计)人: 伊达浩己 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: G11C16/08 分类号: G11C16/08;G11C16/30
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勋
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 装置 系统
【权利要求书】:

1.一种存储器装置,其特征在于具备:

第1存储单元,存储数据;

第1字线,连接在所述第1存储单元;

第1电路,对所述第1字线供给电压;

第2电路,控制所述第1电路;以及

定序器,控制所述第1电路及所述第2电路;

在对所述第1存储单元写入数据的情况下,

所述定序器判定是否满足条件,

在判定为不满足所述条件的情况下,使所述第2电路产生第1电压,

在判定为满足所述条件的情况下,使所述第2电路产生高于所述第1电压的第2电压,

所述第1电路基于所述第1电压或所述第2电压,将低于所述第2电压的第3电压供给至所述第1字线。

2.根据权利要求1所述的存储器装置,其特征在于还具备第1存储部,存储对所述第1存储单元写入数据的情况下的编程动作次数,

所述定序器判定存储在所述第1存储部的所述编程动作次数是否为第1次数以下,

在判定所述编程动作次数并非第1次数以下的情况下,使所述第2电路产生第1电压,

在判定所述编程动作次数为第1次数以下的情况下,使所述第2电路产生高于所述第1电压的第2电压。

3.一种存储器系统,其特征在于具备存储器装置及控制所述存储器装置的控制器,所述存储器装置具备:

第1存储单元,存储数据;

第1字线,连接在所述第1存储单元;

第1电路,对所述第1字线供给电压;

第2电路,控制所述第1电路;以及

定序器,控制所述第1电路及所述第2电路;且

所述控制器,

在对所述第1存储单元写入数据的情况下,

判定是否满足条件,

在判定为不满足所述条件的情况下,使所述第2电路产生第1电压,

在判定为满足所述条件的情况下,使所述第2电路产生高于所述第1电压的第2电压,

所述第1电路基于所述第1电压或所述第2电压,将低于所述第2电压的第3电压供给至所述第1字线。

4.根据权利要求3所述的存储器系统,其特征在于:

所述控制器还具备第2存储部,存储向所述第1存储单元的数据的写入及删除次数,

所述控制器判定存储在所述第2存储部的所述数据的写入及删除次数是否为第2次数以上,

在判定所述数据的写入及删除次数并非第2次数以上的情况下,使所述第2电路产生第1电压,

在判定所述数据的写入及删除次数为第2次数以上的情况下,使所述第2电路产生高于所述第1电压的第2电压。

5.一种存储器装置,其特征在于具备:

半导体衬底;

第1字线;

第1存储单元,栅极连接在所述第1字线,且一端连接在所述半导体衬底;

第3电路,对所述半导体衬底供给电压;

第4电路,控制所述第3电路;以及

定序器,控制所述第3电路及所述第4电路;

在将所述第1存储单元的数据删除的情况下,

所述定序器判定是否满足条件,

在判定为不满足所述条件的情况下,使所述第4电路产生第4电压,

在判定为满足所述条件的情况下,使所述第4电路产生高于所述第4电压的第5电压,

所述第3电路基于所述第4电压或所述第5电压,将低于所述第4电压的第6电压供给至所述半导体衬底。

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