[发明专利]制造影像感测器的方法

说明书

一种制造影像感测器的方法，包括沉积第一介电层于基板上，去除第一介电层的一部分以形成沟槽，沉积导电层于第一介电层上和沟槽中，形成沿着导电层的顶表面和在导电层中的凹槽的侧壁和底表面的保护层，以及去除导电层的一部分以形成格子结构。对应于沟槽的凹槽是形成于导电层中。

技术领域

本揭示内容是有关一种半导体装置的制造方法，特别是关于一种影像感测器的制造方法。

背景技术

半导体影像感测器可用于检测诸如可见光的辐射。互补金属氧化物半导体影像感测器(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Image Sensor，CIS)和电荷耦合器件(Charge-Coupled Device，CCD)用于各种应用中，例如用于图像拍摄的相机、移动电话和笔记型电脑。互补金属氧化物半导体影像感测器利用基板中的像素阵列(其包括晶体管和光电二极管)，以吸收向基板投射的光子并将光子转换成电荷。由电荷产生的模拟信号被放大，并且模数转换器(analog-to-digital converter)将放大的信号转换成数字信号。随后，执行多个颜色差补(color interpolation)处理，例如颜色校正，伽马校正和白平衡，以进行图像保存或压缩。

相较于前侧照明互补金属氧化物半导体影像感测器(Front Side IlluminationCIS，FSICIS)，背面照明互补金属氧化物半导体影像感测器(Back Side IlluminationCIS，BSICIS)允许入射光从基板的背面穿透，亦即，与互连结构相对的一侧。以这样的方式，由于减少了入射光经由互连结构而反射，使得背面照明互补金属氧化物半导体影像感测器(BSICIS)比前侧照明互补金属氧化物半导体影像感测器(FSICIS)捕获更多的图像信号光子，因此影像感测器操作得到改善。

发明内容

根据本揭露内容的多个实施方式，是提供一种制造影像感测器的方法，包括：沉积第一介电层于基板上；去除第一介电层的一部分以形成沟槽；沉积导电层于第一介电层上和沟槽中，其中对应于沟槽的凹槽是形成于导电层中；形成沿着导电层的顶表面和在导电层中的凹槽的侧壁和底表面的保护层；以及去除导电层的一部分以形成格子结构。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述中可以更好地理解本揭露的各个方面。应当注意，依据业界的标准做法，各特征未按比例绘制。实际上，多个特征的尺寸可任意增大或缩小，以便使论述明晰。

图1是根据一个或多个实施例的影像感测器的横截面示意图；

图2是根据一个或多个实施例的制造影像感测器的方法的流程图；

图3A-图3G是根据一个或多个实施例的制造影像感测器的各个阶段的横截面示意图；

图4是根据一个或多个实施例的影像感测器的横截面示意图；

图5是根据一个或多个实施例的影像感测器的横截面示意图。

具体实施方式

以下揭露提供许多不同实施例或实例，以用于实现所提供标的物的不同的特征。下文描述组件、值、操作、材料、排列等的特定实例以简化本揭露。当然，此等仅仅为实例，并不旨在限制本揭露。其他组件、值、操作、材料、排列等亦可用于本揭露。举例而言，在随后描述中的在第二特征上方或在第二特征上形成第一特征可包括形成直接接触的第一特征和第二特征的实施例，还可以包括在第一特征及第二特征之间形成额外特征，从而使第一特征和第二特征不直接接触的实施例。另外，本揭露在各实例中可重复元件符号及/或字母。此重复是出于简化及清楚的目的，且本身不指示所论述各实施例及/或构造之间的关系。