[发明专利]一种三极管芯片上料封装设备有效
申请号: | 201710625418.5 | 申请日: | 2017-07-27 |
公开(公告)号: | CN107316830B | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | 金晓静 | 申请(专利权)人: | 四川蓝彩电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 51260 成都巾帼知识产权代理有限公司 | 代理人: | 潘文林<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 629000 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 三极管 芯片 封装 设备 | ||
本发明涉及一种三极管芯片上料封装设备,其特征在于,包括依次轨道连接的上料装置、氮气保护固定输送装置、料框切断装置和料框收集装置;所述商量装置用于将三极管芯片搬运至氮气保护固定输送装置,所述氮气保护固定输送装置用于将载有芯片的料框在氮气保护下输送至料框切断装置,所述料框切断装置用于将料框均匀切断;所述料框收集装置用于收集切断的料框。本发明结构简单,使用方便,实现三极管芯片上料装入料框、料框运输、料框收集储存的自动化进行,操作精确,效率高,质量好,适用于大规模、工业化生产。
技术领域
本发明涉及三极管技术领域,具体涉及一种三极管芯片上料封装设备。
背景技术
三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
1947年12月23日,美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里,3位科学家——巴丁博士、布莱顿博士和肖克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。他们在导体电路中正在进行用半导体晶体把声音信号放大的实验。3位科学家惊奇地发现,在他们发明的器件中通过的一部分微量电流,竟然可以控制另一部分流过的大得多的电流,因而产生了放大效应。这个器件,就是在科技史上具有划时代意义的成果——晶体管。因它是在圣诞节前夕发明的,而且对人们未来的生活发生如此巨大的影响,所以被称为“献给世界的圣诞节礼物”。这3位科学家因此共同荣获了1956年诺贝尔物理学奖。晶体管促进并带来了“固态革命”,进而推动了全球范围内的半导体电子工业。作为主要部件,它及时、普遍地首先在通讯工具方面得到应用,并产生了巨大的经济效益。由于晶体管彻底改变了电子线路的结构,集成电路以及大规模集成电路应运而生,这样制造像高速电子计算机之类的高精密装置就变成了现实。
在实际生产过程中,需要经过一系列工序才能完成三极管的制备,为推动三极管工业化、高效率、高质量、大规模生产,本发明提供一种三极管芯片上料封装设备,实现装有三极管芯片上料、料框运输、料框收集储存的自动化进行,以促进三极管的应用和发展。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种三极管芯片上料封装设备,结构简单,使用方便,实现装有三极管芯片上料、料框运输、料框收集储存的自动化进行,操作精确,效率高,质量好,适用于大规模、工业化生产。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:
一种三极管芯片上料封装设备,包括依次轨道连接的上料装置、氮气保护固定输送装置、料框切断装置和料框收集装置;
所述上料装置包括芯片盛装系统、芯片搬运系统和料框移动轨道,所述芯片盛装系统包括芯片盛装盘、第一纵向驱动机构、第一横向驱动机构、支架、散热装置,散热装置、第一纵向驱动机构、第一横向驱动机构、支架自上而下依次设置,且第一纵向驱动机构与芯片盛装盘连接;所述芯片搬运系统包括壳体、芯片搬运头、第一驱动装置、探照单元、显示单元,所述第一驱动装置设置在壳体内,所述芯片搬运头设置在壳体底部,且与第一驱动装置连接,用于将芯片从芯片盛装盘搬运至氮气保护固定输送装置,壳体上还设有固定机构,探照单元通过固定机构与壳体连接,显示单元与探照单元连接;
所述氮气保护固定输送装置包括加热盒体、与加热盒体相匹配的盒盖、第二纵向驱动机构、第二横向驱动机构和氮气管,所述加热盒体的内部侧壁上设有轨道槽,所述料框通过轨道槽贯穿加热盒体,加热盒体底部一端设有纵向槽,另一端设有横向槽,所述第二纵向驱动机构设置在纵向槽的下方,所述第二横向驱动机构设置在横向槽的下方;所述加热盒体的底部还设有加热装置,所述氮气管设置在盒盖上,且与加热盒体内部连通;盒盖上还设有一开口,用于芯片搬运头将芯片搬运至料框上;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造