[发明专利]一种触控显示面板、装置及制作方法有效
申请号: | 201710624567.X | 申请日: | 2017-07-27 |
公开(公告)号: | CN107425041B | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
发明(设计)人: | 谢亮;杨康;曾洋 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06F3/041 |
代理公司: | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 装置 制作方法 | ||
1.一种触控显示面板,其特征在于,包括:
发光单元阵列基板,所述发光单元阵列基板包括衬底基板以及位于所述衬底基板一侧的多个发光单元;所述多个发光单元沿平行于衬底基板所在平面的第一方向和第二方向呈阵列排布;所述第一方向和所述第二方向交叉;
封装基板,位于所述多个发光单元远离所述衬底基板的一侧;
至少一个指纹识别单元,位于所述封装基板靠近所述发光单元阵列基板一侧;所述指纹识别单元包括薄膜晶体管和遮光层;所述遮光层在所述封装基板上的垂直投影覆盖所述薄膜晶体管的沟道区在所述封装基板上的垂直投影;
触控电极,所述触控电极由网格状金属走线构成,且与所述遮光层同层设置;
其中,所述网格状金属走线在所述封装基板上的垂直投影与一所述指纹识别单元在所述封装基板上的垂直投影的交叠面积,与一所述指纹识别单元在所述封装基板上的垂直投影的面积的比值小于10%。
2.根据权利要求1所述的触控显示面板,其特征在于,
所述触控显示面板包括开口区域与非开口区域,每一所述发光单元包括多个子像素发光区,所述开口区域为所述子像素发光区所在区域;所述触控电极和/或所述指纹识别单元位于所述非开口区域。
3.根据权利要求1所述的触控显示面板,其特征在于,所述触控电极包括多个触控感测电极和多个触控驱动电极;
同一列中相邻的所述多个触控感测电极相连接;同一行中相邻的所述多个触控驱动电极相互连接,同一行中的所述多个触控驱动电极通过跨桥结构相连接;或者,
同一列中相邻的所述多个触控驱动电极相连接;同一行中相邻的所述多个触控感测电极相互连接,同一行中的所述多个触控感测电极通过跨桥结构相连接。
4.根据权利要求3所述的触控显示面板,其特征在于,所述跨桥结构与所述薄膜晶体管的源漏极或栅极同层设置。
5.根据权利要求3所述的触控显示面板,其特征在于,所述触控显示面板包括触控感测单元,所述发光单元与所述指纹识别单元一一对应,且相邻两个所述发光单元的几何中心的距离为p,所述触控感测单元为矩形,所述矩形的两条直角边分别沿行方向和列方向延伸且边长为a、b,3.5mm≤a≤5.5mm,3.5mm≤b≤5.5mm,所述矩形与两个所述触控感测电极以及两个所述触控驱动电极交叠,且所述矩形的每一条边穿过一所述触控感测电极或一触控驱动电极的中心,同时所述矩形覆盖N个所述发光单元,N满足:
6.根据权利要求1所述的触控显示面板,其特征在于,所述触控电极包括多个触控感测电极,所述触控显示面板还包括与所述多个触控感测电极异层设置的多个触控驱动电极;或者,
所述触控电极包括多个触控驱动电极,所述触控显示面板还包括与所述多个触控驱动电极异层设置的多个触控感测电极;
所述多个触控感测电极与所述多个触控驱动电极绝缘交叉。
7.根据权利要求1所述的触控显示面板,其特征在于,所述触控电极包括位于同一层的多个自容式触控电极块,所述多个自容式触控电极块呈阵列排布。
8.根据权利要求1所述的触控显示面板,其特征在于,沿所述薄膜晶体管远离所述封装基板的方向,所述薄膜晶体管依次包括有源层、栅极绝缘层、栅极和源漏极;
所述遮光层位于所述薄膜晶体管与所述封装基板之间。
9.根据权利要求1所述的触控显示面板,其特征在于,沿所述薄膜晶体管远离所述封装基板的方向,所述薄膜晶体管依次包括栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏极;
所述遮光层位于所述有源层远离所述封装基板的一侧。
10.根据权利要求1所述的触控显示面板,其特征在于,所述发光单元作为所述指纹识别单元的光源;
所述发光单元发出的光线经由触摸主体反射后形成反射光入射到所述指纹识别单元,以进行指纹识别。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的