[发明专利]用于OLED蒸镀的荫罩及其制作方法、OLED面板的制作方法

权利要求书

1.一种用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，包括：

提供钢化玻璃衬底，所述钢化玻璃衬底包括正面和相对的背面；

在所述钢化玻璃衬底的正面形成缓冲层；

在所述钢化玻璃衬底的所述缓冲层上形成格栅膜层；

刻蚀部分所述格栅膜层，在所述格栅膜层中形成若干贯穿格栅膜层且呈阵列排布的开口；

沿所述钢化玻璃衬底的背面刻蚀部分所述钢化玻璃衬底，在钢化玻璃衬底中形成暴露出格栅膜层中的若干开口以及相邻开口之间的格栅膜层的凹槽；

其中，所述缓冲层的材料与格栅膜层的材料不相同或相同，所述格栅膜层具有张应力，所述缓冲层具有张应力，且缓冲层的张应力小于格栅膜层的张应力。

2.如权利要求1所述的用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述缓冲层的材料为氧化硅，缓冲层的厚度为0.3～0.6微米，缓冲层的表面粗糙度小于20nm，缓冲层的应力小于200Mpa。

3.如权利要求2所述的用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述缓冲层的形成工艺为低温等离子增强化学气相沉积工艺。

4.如权利要求3所述的用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，进行所述低温等离子增强化学气相沉积工艺时的反应气体包括硅源气体和氧源气体，硅源气体为SiH₄、SiH₂Cl₂、Si₂H₆、TEOS中的一种或几种，氧源气体为O₂、O₃和N₂O中的一种或几种，硅源流量为60sccm至500sccm，氧源气体流量为30至200sccm，沉积腔室压强为0.2托至5托，沉积腔室射频功率为150瓦至1500瓦，沉积腔室温度为250度至500度。

5.如权利要求1所述的用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述缓冲层还覆盖钢化玻璃衬底的侧面和背面。

6.如权利要求1或5所述的用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述格栅膜层仅位于钢化玻璃衬底正面上。

7.如权利要求1或5所述的用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述格栅膜层除了位于钢化玻璃衬底正面上外，所述格栅膜层还位于钢化玻璃衬底的侧面和背面上。

8.如权利要求1或5所述的用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述格栅膜层具有张应力，张应力的大小为100～400Mpa。

9.如权利要求8所述的用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述格栅膜层的材料为氮化硅，格栅膜层的厚度为1～3微米，表面粗糙度小于20纳米。

10.如权利要求9所述的用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述具有张应力、材料为氮化硅的格栅膜层的形成工艺为低压炉管沉积工艺，低压炉管沉积工艺的温度大于600℃，腔室压强为0.2-7Torr，气体包括硅源气体和NH₃，其中硅源气体为SiH₄、SiH₂Cl₂、Si₂H₆、TEOS中的一种或几种。

11.如权利要求8所述的用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述格栅膜层的材料为氧化硅或氮氧化硅。