[发明专利]晶圆垂直稳定性校准系统及校准晶圆垂直稳定性的方法

说明书

本发明提供一种晶圆垂直稳定性校准系统及校准晶圆垂直稳定性的方法，所述系统包括：待校准晶圆；支撑装置，用于放置所述待校准晶圆；动态平衡系统，设置于所述待校准晶圆的两侧，并与所述待校准晶圆的表面相对，所述动态平衡系统包括若干个位置不同的喷嘴，所述喷嘴能够喷射液体或者气体到所述待校准晶圆的表面，以校准所述待校准晶圆的位置，使所述待校准晶圆保持竖直状态；抓取装置，用于抓取所述待校准晶圆从一个位置移动到另一个位置。本发明的系统避免出现传输抓手抓取晶圆时位置变化，发生掉片、碎片、刮伤等的问题，提高了良率和产量。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种晶圆垂直稳定性校准系统及校准晶圆垂直稳定性的方法。

背景技术

通常化学机械研磨(CMP)的机台分为研磨部分和晶圆清洗两个部分，当晶圆进入清洗装置后，要通过输入、振荡清洗、碱清洗、酸清洗、甩干烘干、输出等步骤，这些步骤要通过清洗装置上方的抓手爪取晶圆从一个位置到另一个位置。这就要求晶圆所处的每个位置和抓手的位置对齐，保证抓手能够准确安全的抓取晶圆从一个位置到另外一个位置。抓取的位置要求比较严格，一旦每个清洗步骤的位置有所偏差，就会遭成抓手抓取晶圆的失败，或出现刮伤、破片的现象。往往造成每个清洗步骤的位置偏差的原因是多种多样的。其中主要的原因有：

1)支撑酸碱清洗的晶圆装置老化或磨损，造成位置偏差，晶圆不能完全竖直的站立在支撑装置中，当抓手抓取时，抓手的位置和晶圆的位置不能对齐，造成掉片、碎片、刮伤等问题；

2)清洗装置在装机时都是由很多装置组成的，而如果组装时位置不均衡，则很可能造成抓手抓取时位置不对，一旦装机完成，有些步骤很难调节，因为这些位置都是相互联系的；

3)抓取晶圆的抓手经过长时间的使用，老化。

因此，为了解决上述技术问题，本发明提供一种晶圆垂直稳定性校准系统以及方法。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对现有技术的不足，本发明提供一种晶圆垂直稳定性校准系统，包括：

待校准晶圆；

支撑装置，用于放置所述待校准晶圆；

动态平衡系统，设置于所述待校准晶圆的两侧，并与所述待校准晶圆的表面相对，所述动态平衡系统包括若干个位置不同的喷嘴，所述喷嘴能够喷射液体或者气体到所述待校准晶圆的表面，以校准所述待校准晶圆的位置，使所述待校准晶圆保持竖直状态；

抓取装置，用于抓取所述待校准晶圆从一个位置移动到另一个位置。

进一步，还包括位于所述待校准晶圆两侧的固定基板，所述支撑装置固定在一侧的所述固定基板上，所述喷嘴固定在两侧的所述固定基板上，所述固定基板的内壁与所述待校准晶圆的表面相对的部分为竖直的平面。

进一步，还包括槽体，所述槽体内具有容纳所述动态平衡系统、所述待校准晶圆以及所述支撑装置的空间，所述槽体与所述待校准晶圆相对的两个侧壁用作所述固定基板。

进一步，所述支撑装置包括至少三个支撑轴，所述支撑轴各自独立的可拆卸安装在一侧的所述固定基板上。

进一步，所述支撑轴从所述固定基板的内壁向外突出部分长度，并且所述支撑轴的轴线垂直于所述固定基板的内壁。

进一步，所述待校准晶圆放置于所述支撑轴上，所述支撑轴与所述待校准晶圆接触的支撑点均位于所述待校准晶圆位于下方的半圆的圆周上。

进一步，所述喷嘴位于所述支撑装置的上方。