[发明专利]晶圆垂直稳定性校准系统及校准晶圆垂直稳定性的方法

权利要求书

1.一种晶圆垂直稳定性校准系统，其特征在于，包括：

待校准晶圆；

支撑装置，用于放置所述待校准晶圆；

动态平衡系统，设置于所述待校准晶圆的两侧，并与所述待校准晶圆的表面相对，所述动态平衡系统包括若干个位置不同的喷嘴，所述喷嘴能够喷射液体或者气体到所述待校准晶圆的表面，以校准所述待校准晶圆的位置，使所述待校准晶圆保持竖直状态；

抓取装置，用于抓取所述待校准晶圆从一个位置移动到另一个位置；

位于所述待校准晶圆两侧的固定基板，所述固定基板的内壁与所述待校准晶圆的表面相对的部分为竖直的平面；

所述支撑装置包括至少三个支撑轴，所述支撑轴各自独立的可拆卸安装在一侧的所述固定基板上，所述待校准晶圆放置于所述支撑轴上，所述支撑轴与所述待校准晶圆接触的支撑点均位于所述待校准晶圆位于下方的半圆的圆周上。

2.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述支撑装置固定在一侧的所述固定基板上，所述喷嘴固定在两侧的所述固定基板上。

3.如权利要求2所述的系统，其特征在于，还包括槽体，所述槽体内具有容纳所述动态平衡系统、所述待校准晶圆以及所述支撑装置的空间，所述槽体与所述待校准晶圆相对的两个侧壁用作所述固定基板。

4.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述支撑轴从所述固定基板的内壁向外突出部分长度，并且所述支撑轴的轴线垂直于所述固定基板的内壁。

5.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述喷嘴位于所述支撑装置的上方。

6.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述待校准晶圆包括上下两个半圆，所述喷嘴将液体或者气体喷到竖直的所述待校准晶圆的上半圆内。

7.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述喷嘴在竖直的所述待校准晶圆上的投影位于所述待校准晶圆的上半圆内。

8.如权利要求7所述的系统，其特征在于，位于所述待校准晶圆两侧的所述喷嘴的数量相同，和/或，每一行所述喷嘴的数目相同。

9.如权利要求1所述的系统，其特征在于，每侧的所述喷嘴成若干行排布，每一行所述喷嘴在竖直的所述待校准晶圆上的喷射点的连线彼此间平行，并与将所述待校准晶圆分为上下两个半圆的直径相平行。

10.如权利要求9所述的系统，其特征在于，所述喷嘴在竖直的所述待校准晶圆上的喷射点关于与所述直径垂直的所述待校准晶圆的另一直径对称。

11.如权利要求1所述的系统，其特征在于，每一侧的所述喷嘴排列成三行，定义位于下部的所述喷嘴在竖直的所述待校准晶圆上的喷射点的连线为第一连线，则所述第一连线穿过所述待校准晶圆的圆心，定义位于中部的所述喷嘴在所述待校准晶圆上的喷射点的连线为第二连线，所述第二连线与所述第一连线平行，定义位于上部的所述喷嘴在所述待校准晶圆上的喷射点的连线为第三连线，所述第二连线与所述第一连线之间的垂直距离大于所述第三连线和所述第二连线之间的垂直距离。

12.如权利要求11所述的系统，其特征在于，所述第二连线与所述第一连线之间的垂直距离为所述待校准晶圆半径的40％，所述第三连线和所述第二连线之间的垂直距离为所述待校准晶圆半径的30％。

13.如权利要求11所述的系统，其特征在于，所述第一连线及其延长线与所述待校准晶圆的边缘相交所获得的直线为所述待校准晶圆的上半圆的直径。

14.如权利要求13所述的系统，其特征在于，在经过所述圆心并与所述上半圆的直径垂直的所述待校准晶圆的半径与所述第一连线、所述第二连线和所述第三连线的交点分别对应一个所述喷嘴在竖直的所述待校准晶圆上的喷射点。