[发明专利]一种含Cu的高强Mg-Zn-Al系变形镁合金及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710597942.6 申请日: 2017-07-20
公开(公告)号: CN107326235B 公开(公告)日: 2018-11-06
发明(设计)人: 彭建;刘立尚;潘复生;蒋斌;张丁非 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: C22C23/04 分类号: C22C23/04;C22C1/02;C22F1/06
代理公司: 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 代理人: 赵荣之
地址: 400044 重*** 国省代码: 重庆;50
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 镁合金 制备 合金 变形镁合金 晶粒 动态再结晶 生产成本低 质量百分比 铝箔 力学性能 连续网状 弥散分布 低熔点 对设备 高熔点 挤压态 均匀化 石墨粉 过热 耗时 弱化 阻碍 覆盖
【说明书】:

发明涉及一种含Cu的高强Mg‑Zn‑Al系变形镁合金及其制备方法,属于镁合金技术领域,该镁合金按质量百分比计,由以下组分组成:Zn:5.5‑6.5%,Al:2.5‑3.5%,Cu:0.1‑2.1%,不可避免杂质≤0.15%,余量为镁。通过向镁合金中添加0.1‑2.1%的Cu元素,使得连续网状分布的低熔点β‑Mg17Al12相逐渐转变为细小弥散分布的高熔点MgAlCu三元相,弱化了β‑Mg17Al12相的形成,不仅提高了合金的力学性能,还让合金可以在更高的温度下服役,其中,MgAlCu三元相能有效阻碍动态再结晶过程中晶粒的长大,最终挤压态的晶粒尺寸约为2μm。该镁合金的制备方法易于实施,耗时短,对设备的要求不高,且生产成本低,其中在对镁合金均匀化时先用石墨粉覆盖,然后再用铝箔进行包裹,可以很好地避免合金过热或过烧。

技术领域

本发明属于镁合金技术领域,涉及一种含Cu的高强Mg-Zn-Al系变形镁合金及其制备方法。

背景技术

考虑到镁合金具有优异的综合性能,并且随着能源危机和环境问题的日益严重,对于镁合金作为轻质结构材料的开发,已变得刻不容缓。按照镁合金是否含锆,可将镁合金分为含锆镁合金和不含锆镁合金。含锆镁合金通常晶粒细小,具有良好的力学性能。但锆元素价格较贵,提高了生产成本,不利于含锆镁合金的大批量生产。另外,为了提高镁合金的强韧性,通常采用变形加工工艺,如挤压、轧制、锻造等来优化镁合金的强度,或者通过添加一些稀土元素,如Gd、Er、Nd、Y、Ce等来提高镁合金的强度和塑性,但这种方法生产成本高昂,限制了含稀土镁合金的大范围使用。因此,急需一种经济适用的高强度Mg-Zn-Al系变形镁合金的制备方法及由该方法制备出的具有更加优异综合力学性能的Mg-Zn-Al系变形镁合金。

发明内容

有鉴于此,本发明的目的在于:(1)提供一种含Cu的高强Mg-Zn-Al系变形镁合金;(2)提供一种含Cu的高强Mg-Zn-Al系变形镁合金的制备方法。

为达到上述目的,本发明提供如下技术方案:

1、一种含Cu的高强Mg-Zn-Al系变形镁合金,按质量百分比计,所述镁合金由以下组分组成:Zn:5.5-6.5%,Al:2.5-3.5%,Cu:0.1-2.1%,不可避免杂质≤0.15%,余量为镁。

优选的,按质量百分比计,所述镁合金由以下组分组成:Zn:6.0-6.5%,Al:3.0-3.5%,Cu:0.3-1.2%,不可避免杂质≤0.15%,余量为镁。

优选的,按质量百分比计,所述镁合金由以下组分组成:Zn:6.05%,Al:3.02%,Cu:0.91%,不可避免杂质≤0.15%,余量为镁。

2、所述的一种含Cu的高强Mg-Zn-Al系变形镁合金的制备方法,包括以下步骤:

(1)熔炼:以纯镁锭,纯锌锭,纯铝锭和纯铜粉为原料,按所述镁合金组分的质量百分比进行计算配料,将预热到150±5℃的纯镁锭加入电阻炉中,加热升温到750±5℃至所述纯镁锭熔化,将所述镁熔体温度控制在720±5℃后依次将纯锌锭和纯铝锭加入至所述纯锌锭和纯铝锭充分熔化,静置后打渣搅拌,然后降温至680±5℃,将纯铜粉加入所述镁熔体中至所述纯铜粉充分熔化,再次静置后打渣搅拌,升温至720±5℃,加入精炼剂进行精炼,将所述镁熔体温度控制在720±5℃,保温静置30min后降温至700±5℃,最后采用金属模铸造,制得镁合金铸锭;整个熔炼过程在CO2和SF6的混合气体保护下进行;

(2)机加工:去除步骤(1)中镁合金铸锭表面的氧化皮;

(3)均匀化处理:将经步骤(2)处理后的镁合金铸锭进行双级均匀化处理;

(4)热挤压:将经步骤(3)处理后的镁合金铸锭进行热挤压,制得含Cu的高强Mg-Zn-Al系变形镁合金。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆大学,未经重庆大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710597942.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top