[发明专利]喷嘴组件、改善材料层厚度均匀性的沉积装置及方法

权利要求书

1.一种喷嘴组件，其特征在于，所述喷嘴组件用以自衬底的边缘向所述衬底表面喷射反应气体，以在所述衬底表面形成材料层，所述喷嘴组件至少包括第一反应气体喷嘴、第二反应气体喷嘴及至少一第三反应气体喷嘴，其中，所述第二反应气体喷嘴的设置位置是以所述衬底的中心为中心、沿所述衬底的周向相较于所述第一反应气体喷嘴朝向所述衬底的中心偏移第一夹角；所述第一反应气体喷嘴的喷口朝向所述衬底的中心，所述第二反应气体喷嘴的喷口的朝向与正对所述衬底中心的方向具有第二夹角；第三反应气体喷嘴的设置位置是以所述衬底的中心为中心、沿所述衬底的周向相较于所述第二反应气体喷嘴或邻近的其它第三反应气体喷嘴向远离所述第一反应气体喷嘴的一侧偏移第一夹角，所述第三反应气体喷嘴的喷口朝向与正对所述衬底中心的方向具有第二夹角。

2.根据权利要求1所述的喷嘴组件，其特征在于，还包括氨气喷嘴，所述氨气喷嘴的设置位置是以所述衬底的中心为中心、沿所述衬底的周向相较于所述第一反应气体喷嘴向远离所述第二反应气体喷嘴的一侧偏移第一夹角。

3.根据权利要求1所述的喷嘴组件，其特征在于，还包括氨气喷嘴，所述氨气喷嘴以所述衬底的中心为中心设置于所述衬底在所述第一反应气体喷嘴与所述第二反应气体喷嘴的周向之间。

4.根据权利要求1所述的喷嘴组件，其特征在于，所述第一反应气体喷嘴与所述第二反应气体喷嘴的喷口均为多个，多个所述喷口沿对应反应气体喷嘴的长度方向间隔排布。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的喷嘴组件，其特征在于，所述第一夹角的角度为5°～60°；所述第二夹角的角度为5°～30°。

6.一种改善材料层厚度均匀性的沉积装置，其特征在于，包括：

反应腔室，所述反应腔室内设有基座；所述基座用以放置衬底；及

如权利要求1所述的喷嘴组件，位于所述反应腔室内，且位于所述基座外侧。

7.根据权利要求6所述的改善材料层厚度均匀性的沉积装置，其特征在于，还包括晶舟，所述晶舟置于所述基座上，所述晶舟内由下至上设置有若干个间隔排布的衬底放置区域，所述衬底位于所述衬底放置区域内。

8.一种改善材料层厚度均匀性的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)提供一衬底；及

2)使用如权利要求1所述的喷嘴组件自所述衬底的边缘向所述衬底表面喷射反应气体，以在所述衬底表面沉积厚度均匀的材料层。

9.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)提供一衬底；

2)于所述衬底上形成栅极结构；

3)使用如权利要求1所述喷嘴组件自步骤2)得到的结构的边缘向其表面喷射反应气体，以在步骤2)得到的结构表面沉积厚度均匀的绝缘材料层，所述绝缘材料层覆盖所述栅极结构的表面及所述衬底裸露的上表面，所述绝缘材料层在所述衬底的侧缘位置的厚度占所述绝缘材料层在所述衬底的中央位置厚度的90％～110％；及

4)去除部分位于所述衬底上表面的所述绝缘材料层，得到位于所述栅极结构侧壁的栅极侧壁绝缘层，并于所述栅极侧壁绝缘层的外侧形成接触导电层。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，步骤3)中，在步骤2)得到的所述绝缘材料层在所述衬底的侧缘位置的厚度占所述绝缘材料层在所述衬底的中央位置厚度的98％～102％。

11.根据权利要求9所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，步骤3)中，在步骤2)得到的结构表面沉积的所述绝缘材料层为氮化硅层；各所述喷嘴喷射的所述反应气体均包括硅烷、二氯硅烷和四氯化硅所构成群组中的其中之一。