[发明专利]阵列基板的制作方法及显示装置的制作方法有效
申请号: | 201710595959.8 | 申请日: | 2017-07-20 |
公开(公告)号: | CN107180925B | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 刘文渠;董立文;张锋;吕志军;党宁;张世政 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 制作方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,
在制作隔离层的同时制作隔离柱,包括以下步骤:
S1,形成所述隔离层的薄膜,所述隔离层的薄膜采用有机材料制作;
S2,对所述隔离层的薄膜进行图案化,以形成所述隔离层所需图形以及隔离部;
S3,对所述隔离部进行加热处理,所述加热处理所采用的温度被设置为使所述隔离部的厚度增大,形成所述隔离柱。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,在所述步骤S2中,所述隔离层所需图形在所述隔离部所在位置形成凹槽,所述隔离部独立地位于所述凹槽内。
3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,在所述步骤S2中,所述隔离部的长度在4~15μm;所述隔离部的宽度在4~15μm。
4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,在所述步骤S3中,所述加热处理所采用的温度为230℃。
5.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述加热处理的时间为60min。
6.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述隔离柱的厚度增大1μm以上。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,在所述在制作隔离层的同时制作隔离柱之前,还包括:
提供一基板;
在所述基板上依次形成导向膜层、过渡层、有源层、栅极、连接层、源极和漏极、平坦层和电极层。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述栅极包括依次形成的第一栅绝缘层、第一栅极、第二栅绝缘层和第二栅极;所述第一栅极和所述第二栅极分别对应不同的像素。
9.一种显示装置的制作方法,其特征在于,包括权利要求1-8任意一项所述的阵列基板的制作方法。
10.根据权利要求9所述的显示装置的制作方法,其特征在于,所述显示装置为柔性OLED。
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