[发明专利]一种N型双面电池制备方法

说明书

本发明提供了一种N型双面电池制备方法，包括：对经过损伤处理的N型硅片进行双面反应离子刻蚀，以在表面制备纳米绒面；对N型硅片的背面通过SiOx‑SiNy掩膜处理后，对正面进行硼扩散；然后经HF溶液去除背面SiOx‑SiNy掩膜层后，再对正面SiOx‑SiNy掩膜；之后在背面进行SiO₂层生长；以SiO₂层作为掩膜层，在主栅下进行点开孔处理以形成N++窗口，经弱碱液处理去除开孔残留损伤；在N型硅片的背面进行单面磷扩散，在开孔处形成N++层，其他区域形成N+层；对N型硅片进行边缘隔离后进行HF处理，去除正面的SiOx‑SiNy掩膜、硼硅玻璃及背面的磷硅玻璃，再经RCA清洗；将N型硅片的正面和背面分别经Al₂O₃/SiNx与叠层钝化，经丝网印刷后进行烧结。本发明能够提高Uoc、Isc、FF，进而提高电池正面的光电转化效率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种N型双面电池制备方法。

背景技术

随着温室效应的愈加明显，生态环境愈来愈受到人们的重视。太阳能行业作为清节能源产业之一，现阶段正在飞速的发展，其中以硅基电池的应用最为广泛，因而其效率的提升也一直受到人们的关注。目前P型晶硅电池具有成本低廉、工艺成熟等优点，其已占据市场主要份额，但由于P型电池片具有光致衰减、基体寿命不高等特点，其在高效方面仍瓶颈较大。

相比P型硅片，N型硅片较具有少子寿命高、对金属容忍性高、更高的少子扩散长度等优点，其优异的基体性能越来越受到人们的关注，使得N型双面电池的应用也越来越广泛。N型电池具有双面发电、弱光响应好、少子寿命高、温度系数低及无光致衰减等特点，这些是P型晶硅电池所不能比拟的。

但现有N型双面太阳能电池制备过程中，由于背面经HF/HNO3刻蚀去除BSG(硼硅玻璃)，导致背面绒面结构不完整，造成陷光效果较差，且在栅线印刷后，由于钝化层遭到破坏，钝化质量降低，背面复合加重，影响Uoc(开路电压)、Isc(短路电流)及FF(填充因子)，最终影响双面电池正面的光电转化效率，采用现有技术制备的N型双面太阳能电池的正面光电转化效率为20.3％。

发明内容

鉴于上述状况，有必要提供一种N型双面电池制备方法，提高Uoc、Isc、FF，以提高电池正面光电转化效率。

一种N型双面电池制备方法，包括：

对N型硅片的表面进行损伤处理；

对所述N型硅片进行双面反应离子刻蚀，以在所述N型硅片的表面制备纳米绒面；

对所述N型硅片的背面通过SiOx-SiNy掩膜处理后，对所述N型硅片的正面进行硼扩散；

对所述N型硅片经HF溶液去除背面SiOx-SiNy掩膜层后，对所述N型硅片进行正面SiOx-SiNy掩膜；

在所述N型硅片的背面进行SiO₂层生长；

以所述SiO₂层作为掩膜层，在主栅下进行点开孔处理以形成N++窗口，经弱碱液处理去除开孔残留损伤；

在所述N型硅片的背面进行单面磷扩散，在所述开孔处形成N++层，其他区域形成N+层；

对所述N型硅片进行边缘隔离后进行HF处理，去除正面的SiOx-SiNy掩膜、硼硅玻璃及背面的磷硅玻璃，再经RCA清洗，去除残留杂质；

将所述N型硅片的正面和背面分别经Al₂O₃/SiNx与叠层钝化，经丝网印刷后进行烧结。