[发明专利]一种N型双面电池制备方法

权利要求书

1.一种N型双面电池制备方法，其特征在于，包括：

对N型硅片的表面进行损伤处理；

对所述N型硅片进行双面反应离子刻蚀，以在所述N型硅片的表面制备纳米绒面；

对所述N型硅片的背面通过SiOx-SiNy掩膜处理后，对所述N型硅片的正面进行硼扩散；

对所述N型硅片经HF溶液去除背面SiOx-SiNy掩膜层后，对所述N型硅片进行正面SiOx-SiNy掩膜；

在所述N型硅片的背面进行SiO₂层生长，所述SiO₂层的厚度控制在5-15nm；

以所述SiO₂层作为掩膜层，在主栅下进行点开孔处理以形成N++窗口，经弱碱液处理去除开孔残留损伤；

在所述N型硅片的背面进行单面磷扩散，在所述开孔处形成N++层，其他区域形成N+层，其中，所述N+层方阻为80-110Ω/Squar.，所述N++层方阻为40-70Ω/Squar.；

对所述N型硅片进行边缘隔离后进行HF处理，去除正面的SiOx-SiNy掩膜、硼硅玻璃及背面的磷硅玻璃，再经RCA清洗，去除残留杂质；

将所述N型硅片的正面和背面分别经Al₂O₃/SiNx与叠层钝化，经丝网印刷后进行烧结，正面Al₂O₃的厚度为3-20nm，正面SiNx的厚度为70-100nm，反射率为2-5％，背面SiO₂/SiNx的叠层厚度为75-90nm，反射率为2-5％。

2.根据权利要求1所述的N型双面电池制备方法，其特征在于，所述对所述N型硅片进行双面反应离子刻蚀，以在所述N型硅片的表面制备纳米绒面的步骤中，控制所述N型硅片的反射率在3％-6％。

3.根据权利要求1所述的N型双面电池制备方法，其特征在于，所述对所述N型硅片的背面通过SiOx-SiNy掩膜处理后，对所述N型硅片的正面进行硼扩散的步骤中，硼扩散温度为900-990℃，方阻控制在80～100Ω/Squar.。

4.根据权利要求2所述的N型双面电池制备方法，其特征在于，所述对所述N型硅片进行双面反应离子刻蚀，以在所述N型硅片的表面制备纳米绒面的步骤中，控制所述N型硅片的反射率为5％。

5.根据权利要求3所述的N型双面电池制备方法，其特征在于，所述对所述N型硅片的背面通过SiOx-SiNy掩膜处理后，对所述N型硅片的正面进行硼扩散的步骤中，硼扩散温度为950℃，方阻控制在85～95Ω/Squar.。

6.根据权利要求5所述的N型双面电池制备方法，其特征在于，所述将所述N型硅片的正面和背面分别经Al₂O₃/SiNx与叠层钝化，经丝网印刷后进行烧结的步骤中，正面Al₂O₃的厚度为10nm，正面SiNx的厚度为85nm，反射率为3％，背面SiO₂/SiNx的叠层厚度为80nm，反射率为4％。