[发明专利]一种新型晶体管

说明书

技术领域

本发明涉及晶体管技术领域，具体为一种新型晶体管。

背景技术

晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等，晶体管有时多指晶体三极管。

但是目前市场上的晶体管不仅结构复杂，而且功能单一，没有设置加固管，不能防止集电极与上盖板的连接处发生损坏，不能提高集电极的使用寿命，没有设置固定螺栓，不能便于上盖板和下盖板的安装和拆卸，不能便于发射极、基极和集电极的维护和保养，不能提高传输效率。

发明内容

本发明提供一种新型晶体管，可以有效解决上述背景技术中提出的没有设置加固管，不能防止集电极与上盖板的连接处发生损坏，不能提高集电极的使用寿命，没有设置固定螺栓，不能便于上盖板和下盖板的安装和拆卸，不能便于发射极、基极和集电极的维护和保养，不能提高传输效率的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种新型晶体管，包括发射极、基极、集电极、加固管、凹槽、固定螺栓、上盖板、限位槽、连接片、固定孔、下盖板、发射板、基区、集电板、集电结和发射结，所述上盖板的前表面开设有凹槽，且上盖板的后侧设置有下盖板，所述凹槽的前表面上嵌入设置有固定螺栓，所述加固管安装在上盖板的底端，且加固管的底端贯穿设置有集电极，所述集电极的一侧设置有基极，所述基极的一侧设置有发射极，所述下盖板的顶端设置有连接片，所述连接片的前表面开设有固定孔，且连接片的两侧壁均开设有限位槽，所述上盖板内部靠近发射极的顶端位置处设置有发射板，且上盖板内部靠近基极的顶端位置处设置有基区，所述发射板与基区的连接处设置有发射结，所述上盖板内部靠近集电极的顶端位置处设置有集电板，所述基区与集电板的连接处设置有集电结。

优选的，所述发射极、基极和集电极均为一种锗硅碳材质的构件。

优选的，所述集电极与集电板通过加固管固定连接。

优选的，所述上盖板与下盖板通过固定螺栓固定连接。

优选的，所述固定螺栓的数量为两个。

与现有技术相比，本发明的有益效果：本发明结构科学合理，使用安全方便，设置了加固管，可以防止集电极与上盖板的连接处发生损坏，可以提高集电极的使用寿命，设置了固定螺栓，可以便于上盖板和下盖板的安装和拆卸，可以便于发射极、基极和集电极的维护和保养，进而可以提高发射极和集电极的传输效率，本设计结构简单，安装方便，对整体结构做了全面优化，缩小了晶体管的体积，提高了性能。

附图说明

附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。

在附图中：

图1是本发明的结构示意图；

图2是本发明下盖板的结构示意图；

图3是本发明上盖板的内部结构示意图；

图中标号：1、发射极；2、基极；3、集电极；4、加固管；5、凹槽；6、固定螺钉；7、上盖板；8、限位槽；9、连接片；10、固定孔；11、下盖板；12、发射板；13、基区；14、集电板；15、集电结；16、发射结。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。

实施例：如图1-3所示，本发明提供一种技术方案，一种新型晶体管，包括发射极1、基极2、集电极3、加固管4、凹槽5、固定螺栓6、上盖板7、限位槽8、连接片9、固定孔10、下盖板11、发射板12、基区13、集电板14、集电结15和发射结16，上盖板7的前表面开设有凹槽5，且上盖板7的后侧设置有下盖板11，凹槽5的前表面上嵌入设置有固定螺栓6，加固管4安装在上盖板7的底端，且加固管4的底端贯穿设置有集电极3，集电极3的一侧设置有基极2，基极2的一侧设置有发射极1，下盖板11的顶端设置有连接片9，连接片9的前表面开设有固定孔10，且连接片9的两侧壁均开设有限位槽8，上盖板7内部靠近发射极1的顶端位置处设置有发射板12，且上盖板7内部靠近基极2的顶端位置处设置有基区13，发射板12与基区13的连接处设置有发射结16，上盖板7内部靠近集电极3的顶端位置处设置有集电板14，基区13与集电板14的连接处设置有集电结15。

为了提高传输性能，本实施例中，优选的，发射极1、基极2和集电极3均为一种锗硅碳材质的构件。

为了防止集电极3与上盖板7的连接处发生损坏，本实施例中，优选的，集电极3与集电板14通过加固管4固定连接。