[发明专利]多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管阵列基板的制备方法在审
| 申请号： | 201710587277.2 | 申请日： | 2017-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN107464752A | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 董磊磊 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/3213;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人： | 孙伟峰,黄进 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 制备 方法 薄膜晶体管 阵列 | ||
1.一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
应用半导体沉积工艺制备形成第一非晶硅薄膜；
应用准分子激光退火工艺使所述第一非晶硅薄膜晶化形成多晶硅薄膜；
应用半导体沉积工艺在所述多晶硅薄膜的第一表面上制备形成第二非晶硅薄膜；
应用干法刻蚀工艺，从所述第二非晶硅薄膜朝向所述多晶硅薄膜的方向，刻蚀直至完全去除所述第二非晶硅薄膜。
2.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，进行干法刻蚀工艺时，刻蚀至所述第一表面之下。
3.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，进行干法刻蚀工艺时，在整个平面内各处的刻蚀速度相等。
4.根据权利要求1-3任一所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺为等离子体刻蚀工艺。
5.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，在进行准分子激光退火工艺之前，还对所述第一非晶硅薄膜进行加热去氢处理。
6.根据权利要求5所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，加热去氢处理的温度为350～450℃。
7.一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，包括制备有源层的步骤，其特征在于，制备有源层的步骤包括：
根据权利要求1-6任一所述的多晶硅薄膜的制备方法制备形成一层多晶硅薄膜；
应用光刻工艺将所述多晶硅薄膜刻蚀形成图案化的有源层。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，该方法具体包括步骤：
S1、提供以衬底基板并在所述衬底基板上制备形成图案化的有源层；
S2、在所述有源层上制备形成栅极绝缘层；
S3、在所述栅极绝缘层上制备形成图案化的栅电极；
S4、在所述栅电极上制备形成层间介质层；
S5、在所述层间介质层和所述栅极绝缘层中刻蚀形成暴露出所述有源层的第一过孔和第二过孔；
S6、在所述层间介质层上制备形成图案化的源电极和漏电极，所述源电极通过所述第一过孔连接到所述有源层，所述漏电极通过所述第二过孔连接到所述有源层；
S7、在所述源电极和漏电极上制备形成平坦化层；
S8、在所述平坦化层中刻蚀形成暴露出所述源电极或所述漏电极的第三过孔；
S9、在所述平坦化层上制备形成图案化的像素电极，所述像素电极通过所述第三过孔连接到所述源电极或所述漏电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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