[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法和应用有效
申请号: | 201710581964.3 | 申请日: | 2017-07-17 |
公开(公告)号: | CN108364974B | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 李耘 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 郑彤 |
地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 子像素 平衡腔 有机电致发光器件 基板 像素界定层 墨水 绝缘层 制备方法和应用 相邻子像素 第二溶剂 第一溶剂 环境氛围 器件制作 电极层 功能层 均匀性 沸点 挥发 成膜 良率 打印 印刷 | ||
本发明涉及一种有机电致发光器件,包括:基板、像素界定层、功能层和电极层;所述像素界定层形成于基板之上,包括与子像素对应的子像素腔和位于相邻所述子像素腔之间的平衡腔,所述平衡腔的底部设有绝缘层。上述有机电致发光器件通过在相邻子像素腔之间设置平衡腔,平衡腔中印刷打印第二溶剂(沸点低于第一溶剂)来改变子像素腔中墨水附近环境氛围,进而改变基板不同位置的子像素腔中墨水的挥发速度来改善成膜的均匀性,达到增加器件制作良率、增强器件效果的作用。
技术领域
本发明涉及发光器件技术领域,特别是涉及有机电致发光器件及其制备方法和应用。
背景技术
随着显示技术的逐渐发展,OLED因为其优良的显示性能得到各方的关注。LG、三星和BOE等企业逐渐增大其在OLED显示技术上的投资。常规蒸镀方式制作OLED面临材料利用率低等问题,为进一步降低OLED屏幕生产成本,以印刷方式制作OLED也被各大厂商逐渐提上研发和生产日程。
在现有工艺中,在以打印方式制作OLED时,需要对印刷的像素区域制作像素限定层(PDL),也叫Bank。Bank为一墨水槽,在印刷时,打印的功能层墨水在Bank中逐层沉积干燥,并最后通过蒸镀电极形成器件。现有Bank底部边缘为平滑形貌,同时为使得墨水的良好铺展,Bank底面一般为亲液性质。在实际制作过程中,因为打印完的基板由内基板中心到基板边缘上方溶剂蒸汽压不同,致使打印完后的墨水在干燥成膜时速率存在差异,致使印刷完毕后的基板在干燥过程中,子像素成膜性由基板内部向外部呈现阶梯性差异,如厚度不均、针扎点差异现象。该成膜不均直接导致印刷制备的器件中心部分和边缘部分轻则呈现亮度、色域和寿命的上的差异,重责可直接导致器件短路、甚至击穿(如图1所示)。
发明内容
基于此,本发明的目的是提供一种能够改善并优化成膜效果的有机电致发光器件。
具体的技术方案如下:
一种有机电致发光器件,包括:基板、像素界定层、功能层和电极层;
所述像素界定层形成于基板之上,包括与子像素对应的子像素腔和位于相邻所述子像素腔之间的平衡腔,所述平衡腔的底部设有绝缘层。
在其中一些实施例中,沿所述基板中部至边缘,所述平衡腔的体积保持不变或逐渐变小。
在其中一些实施例中,沿所述基板中部至边缘,单位面积中所述平衡腔的数量保持不变或逐渐减少。
在其中一些实施例中,所述平衡腔的深度为1-1.5μm,直径为15-25μm。
在其中一些实施例中,所述绝缘层为氮化硅层,所述氮化硅层的厚度为200-300nm。
本发明的另一目的是提供上述有机电致发光器件的制备方法。
具体的技术方案如下:
上述有机电致发光器件的制备方法,包括如下步骤:
获取包含TFT阵列的基板;
于所述基板上沉积形成绝缘层;
于所述基板上沉积、蚀刻形成像素界定层,所述像素界定层包括与子像素对应的子像素腔和位于相邻所述子像素腔之间的平衡腔,所述绝缘层位于所述平衡腔的底部;
于所述子像素腔内喷墨印刷功能层墨水形成功能层,于所述平衡腔内喷墨印刷第二溶剂;
于所述功能层上形成电极层,即得所述有机电致发光器件。
在其中一些实施例中,所述功能层墨水包括功能层材料和第一溶剂,沿所述基板中部至边缘,所述功能层墨水中所述功能层材料的浓度由低变高,且任一所述子像素腔中所述功能层墨水所包含的功能层材料的量相等。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东聚华印刷显示技术有限公司,未经广东聚华印刷显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710581964.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的