[发明专利]复合型沟槽MOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种复合型沟槽MOS器件，其特征在于，该器件包括漏极区、位于所述漏极区上方的N+单晶硅衬底和N-外延层、位于所述N-外延层上方的P型阱区层、位于所述P型阱区层上方的源极区层、位于所述源极区层上方的绝缘介质层、和位于所述绝缘介质层上方的源极金属区层，还包括：

沟槽，其穿过所述P型阱区层，延伸至所述N-外延层的内部；

栅氧化层，其与所述沟槽接触；

多晶硅层，其与栅氧化层接触，顶部与所述绝缘介质层接触；

接触孔，所述接触孔穿过所述绝缘介质层和所述P型阱区层，延伸至所述N-外延层，所述接触孔内填充有金属，所述金属的顶端连接所述源极金属区层；

接触孔底部氧化层，其位于所述接触孔底部，与所述N-外延层连接；

接触孔底部多晶层，其与所述接触孔底部氧化层接触，形成TMBS结构；

接触金属层，所述接触金属层底部与所述接触孔底部多晶层接触，所述接触金属层顶部与所述源极金属区层接触，所述接触金属层包括肖特基接触层和欧姆接触层，所述肖特基接触层是所述接触金属层在源极接触孔的侧壁与所述N-外延层接触，所述欧姆接触层是所述接触金属层在源极接触孔的侧壁与N+源极和所述P型阱区层接触；

其中，所述源极金属区层为MOS管源极金属电极，即肖特基的阳极金属电极，所述漏极区为MOS管漏极金属电极，即肖特基的阴极金属电极。

2.根据权利要求1所述的复合型沟槽MOS器件，其特征在于：所述肖特基接触层包括金属钨连接层、氮化钛阻挡层与金属钛粘结层，所述金属钨连接层与所述源极金属区层的底部接触，所述氮化钛阻挡层与所述金属钨连接层的侧面端接触，所述金属钛粘结层与所述氮化钛阻挡层的侧面端接触，所述金属钛粘结层在所述接触孔的侧面端与所述N-外延层形成肖特基接触。

3.根据权利要求1所述的复合型沟槽MOS器件，其特征在于，所述欧姆接触层所述欧姆接触层位于所述接触孔的侧壁处，所述金属钛粘结层与源极区层形成N+源极欧姆接触；所述金属钛粘结层与P+接触区形成P型阱的欧姆接触。

4.根据权利要求1所述的复合型沟槽MOS器件，其特征在于，所述接触孔底部氧化层与所述N-外延层连接，所述接触孔底部多晶层底部与所述接触孔底部氧化层连接，而顶部与源极金属区层的底端接触，最终形成TMBS结构。

5.如权利要求4所述一种复合型沟槽MOS器件，其特征在于，所述接触孔底部多晶层为N型重掺杂的多晶硅。