[发明专利]一种阵列基板、其制备方法、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201710570694.6 | 申请日: | 2017-07-13 |
公开(公告)号: | CN107369700B | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | 王灿;张粲 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 11291 北京同达信恒知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
本发明公开了一种阵列基板、其制备方法、显示面板及显示装置,通过设置与各阳极绝缘的并且能够屏蔽相邻两个像素之间的电场的屏蔽层,可以在像素发光时,将该发光像素中的阳极与其相邻的像素中的阳极之间的电场进行屏蔽,从而可以避免由于耦合作用,导致该发光像素的阳极使其相邻的像素中的阳极具有耦合电压,进而可以消除相邻两个像素中的阳极之间的耦合作用对像素发光的干扰,提高显示效果。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板、其制备方法、显示面板及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示器具有主动发光、宽视角、重量轻、厚度小、响应速度快、动态画面质量高、使用温度范围广及可实现柔性显示等优点,引起了广泛的关注,并在手机、平板电脑、数码相机等显示领域得到了应用。其中,OLED一般包括层叠设置的阳极、发光层以及阴极。
目前,OLED显示器的各像素中的阳极一般具有一定的厚度,导致相邻两个像素中的阳极在垂直于OLED显示器方向上的相对面之间具有耦合电容。在像素发光时,该像素中的阳极上会具有一定电压,由于相邻两个像素之间的距离较小以及耦合作用,会使其相邻像素中的阳极具有耦合电压,导致干扰其他像素发光,降低显示效果。尤其是在小尺寸或微尺寸的高分辨率OLED显示器中,相邻像素之间的距离更小,导致干扰其他像素发光的现象更明显。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板、其制备方法、显示面板及显示装置,用以解决现有技术中由于相邻两个像素之间的距离较小以及耦合作用,导致干扰其他像素发光,降低显示效果的问题。
因此,本发明实施例提供了一种阵列基板,包括:衬底基板以及位于所述衬底基板一侧的多个像素;各所述像素包括阳极;所述阵列基板还包括:与各所述阳极绝缘设置的屏蔽层;所述屏蔽层用于屏蔽相邻两个所述像素之间的电场。
优选地,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,所述屏蔽层位于各所述阳极面向所述衬底基板的一侧且与各所述相邻像素之间的间隙对应设置,和/或,
所述屏蔽层与各所述阳极同层设置且位于各所述像素之间的间隙处。
优选地,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,所述屏蔽层的材料为导电材料,并且所述屏蔽层接地。
优选地,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,所述屏蔽层位于各所述阳极面向所述衬底基板的一侧且与各所述相邻像素之间的间隙对应设置,并且所述屏蔽层在所述衬底基板的正投影覆盖各所述阳极的边缘在所述衬底基板的正投影;
所述屏蔽层与各所述阳极之间具有第一耦合电容,相邻两个阳极之间具有第二耦合电容;每个所述阳极对应的第一耦合电容的电容值不小于对应的第二耦合电容的电容值。
优选地,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,针对一个阳极,所述屏蔽层与所述阳极的边缘在垂直于所述衬底基板方向上的正对面积和所述阳极与其相邻的阳极之间的正对面积相等,所述屏蔽层与所述阳极之间的距离不大于所述阳极与其相邻的阳极之间的距离;或者,
针对一个阳极,所述屏蔽层与所述阳极之间的距离和所述阳极与其相邻的阳极之间的距离相等,所述屏蔽层与所述阳极的边缘在垂直于所述衬底基板方向上的正对面积不小于所述阳极与其相邻的阳极之间的正对面积。
优选地,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,所述屏蔽层位于各所述阳极面向所述衬底基板的一侧且与各所述相邻像素之间的间隙对应设置,所述阵列基板还包括:位于所述屏蔽层面向所述衬底基板一侧的各所述像素中的顶电极,位于所述顶电极与所述屏蔽层之间的第一绝缘层,以及位于所述屏蔽层与各所述阳极之间的第二绝缘层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的