[发明专利]用于处理半导体基板的方法、得到的半导体基板及其用途

权利要求书

1.一种用于处理半导体基板的方法，其特征在于，所述方法包括升温阶段和缺陷处理阶段；

所述缺陷处理阶段包括至少2个平台处理阶段，在每个平台处理阶段期间内，处理温度和激发载流子产生率恒定；

同时，所述方法至少满足如下条件之一：

(1)任意2个平台处理阶段之间，处理温度不同；

(2)任意2个平台处理阶段之间，激发载流子产生率不同。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，当“任意2个平台处理阶段之间，处理温度不同”时，处理温度的差值≥1℃；

优选地，所述平台处理阶段的处理温度优选自50℃、150℃、300℃、400℃、500℃、600℃、700℃、800℃、900℃、1000℃中的任意1个或加热至半导体基板开始熔融；

优选地，每个平台处理阶段的处理时间各自独立地≥1s。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，当“任意2个平台处理阶段之间，激发载流子产生率载流子产生率不同”时，激发载流子的产生率的差值≥10¹⁰cm^-3/s；

优选地，所述激发载流子的手段包括能够将电子从基态跃迁到激发态并形成自由移动电子的辐照方法，和/或能够将电子从基态跃迁到激发态并形成自由移动电子的通正向电流或正向电压的方法；

优选地，所述辐照强度的能量密度≥10mW/cm²；所述辐照强度的能量密度优选自50mW/cm²、100mW/cm²、500mW/cm²、1000mW/cm²、5000mW/cm²、10000mW/cm²、50000mW/cm²或是半导体基板开始熔融的能量密度中的任意1个；

优选地，所述辐照方式包括连续式辐照或者脉冲式辐照；

优选地，所述辐照方式包括电磁辐射、光辐射、高能粒子辐射中的任意1种或至少2种的组合；

优选地，所述光辐射包括红外线灯辐射、金属卤素灯辐射、发光二极管辐射、激光辐射中的任意1种或至少2种的组合；

优选地，采用通正向电流和/或正向电压对半导体基板进行激发载流子的手段中，所述半导体基板至少具有一组pn结，优选还具有一组正负电极；

优选地，所述正向电压≥0.01V；

优选地，所述正向电压选自0.05V、0.1V、0.2V、0.4V、0.8V、2V、4V、10V中的任意1个；

优选地，所述正向电流优选自1mA/cm²、5mA/cm²、10mA/cm²、50mA/cm²、100mA/cm²、500mA/cm²、1000mA/cm²、5000mA/cm²、10000mA/cm²中的任意1个；

优选地，所述正向电压包括连续直流式正向电压或脉冲直流式正向电压。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，相邻的2个平台处理阶段之间存在温度过渡阶段；

优选地，所述温度过渡阶段伴随激发载流子的手段；

优选地，所述温度过渡阶段的激发载流子的手段包括能够将电子从基态跃迁到激发态并形成自由移动电子的辐照方法，和/或能够将电子从基态跃迁到激发态并形成自由移动电子的通正向电流和/或正向电压的方法。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在所有平台处理阶段完成后进行冷却阶段，所述冷却阶段的温度逐渐下降至设定温度；

优选地，所述设定温度≤150℃，优选150℃、100℃、50℃中的任意1种或至少2种的组合；

优选地，所述冷却阶段施加有激发载流子的手段；

优选地，所述激发载流子的手段包括辐照方法和/或通正向电流或正向电压方法；

优选地，所述辐照方式包括电磁辐射、光辐射、高能粒子辐射中的任意1种或至少2种的组合。