[发明专利]蚀刻设备在审
申请号: | 201710549231.1 | 申请日: | 2017-07-06 |
公开(公告)号: | CN107275265A | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 田代 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人: | 郝传鑫,熊永强 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蚀刻 设备 | ||
1.一种蚀刻设备,用于对显示面板的基板的蚀刻,其特征在于,包括支撑台、装于所述支撑台的多个第一传送滚轴及多个第二传送滚轴,多个第一传送滚轴平行间隔设置且构成第一运输平面,每两个第一传送滚轴之间设有一个第二导向滚轴,所述多个第二传送滚轴构成第二运输平面,所述第一运输平面与第二运输平面的宽度不相同且用于运输不同宽度的基板。
2.如权利要求1所述的蚀刻设备,其特征在于,每一所述第二传送滚轴上的两端各设有一个导向组件,所述导向组件包括安装体和装于安装体的导向辊,所述安装体装于第二传送滚轴上并可沿着第二传送滚轴轴向调节,每一导向辊的轴向与所述第二传送滚轴的轴向垂直,同一第二传送滚轴上的两个导向辊之间的距离为所述第二运输平面的宽度,且多个所述第二传送滚轴上的导向辊之间的距离相同。
3.如权利要求1或2所述的蚀刻设备,其特征在于,所述支撑台上设有驱动装置及由驱动装置驱动的推动部,每一所述第二传送滚轴端部与所述推动部连接,并可随着推动部沿着垂直于所述第一传送滚轴的轴向方向移动,以使所述第二运输平面高于或者低于所述第一运输平面。
4.如权利要求3所述的蚀刻设备,其特征在于,所述驱动装置为两个相对设置且均为气缸,每一驱动装置连接有一个推动部,所述推动部为升降推杆,一个升降推杆连接多个第二传送滚轴朝向相同的一端,另一个推杆连接多个第二传送滚轴的另一个段。
5.如权利要求4所述的蚀刻设备,其特征在于,所述支撑台包括两个相对的支撑板,所述两个支撑板相对的内侧面设有与所述多个第二传送滚轴相对应的滑槽,所述推动部推动第二传送滚轴沿着滑槽滑动实现相对第一传送滚轴升降。
6.如权利要求3所述的蚀刻设备,其特征在于,所述支撑台上还设有驱动气缸及由驱动气缸驱动的推动杆,每一所述第一传送滚轴端部与所述推动杆连接,并可随着推动杆沿着垂直于所述第二传送滚轴的轴向方向移动,以使所述第一运输平面高于或者低于所述第二运输平面。
7.如权利要求3所述的蚀刻设备,其特征在于,所述蚀刻设备包括控制装置,用于控制所述驱动装置调节所述第二传送滚轴的升降。
8.如权利要求1所述的蚀刻设备,其特征在于,所述蚀刻设备包括分别位于所述第一运输平面两端的取料滚轮组件与送料滚轮组件,所述取料滚轮组件包含两个可以相互靠近或者远离的第一同向滚动轴,所述送料滚轮组件包含两个可以相互靠近或者远离的第二同向滚动轴。
9.如权利要求1所述的蚀刻设备,其特征在于,所述第一传送滚轴上套设有数个间隔设置的随着第一传送滚轴滚动的柔性环。
10.如权利要求1所述的蚀刻设备,其特征在于,所述蚀刻设备包括设于支撑台上的密封罩及用于蚀刻基板的蚀刻容器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造