[发明专利]光致抗蚀剂显影液组合物及光致抗蚀剂图案形成方法

说明书

本发明提供光致抗蚀剂显影液组合物及光致抗蚀剂图案形成方法，所述光致抗蚀剂显影液组合物包含下述化学式I的化合物、非离子性表面活性剂、碱性化合物和水。本发明的光致抗蚀剂显影液组合物的经时稳定性和显影力优异，且消泡功能优异。所述化学式I中，R₁和R₂各自独立地为‑OM、碳原子数1～18的烷基或烷氧基、酚基、碳原子数5～8的环状烷基或‑O‑[CH₂‑CH₂‑O]_n‑R₃，R₁和R₂中至少一个为‑OM，R₃为氢、碳原子数1～18的烷基或烷氧基、被碳原子数1～18的烷基取代的苯基或碳原子数5～8的环状烷基，M为氢、铵、碱金属或碱土金属，n为1～20的整数。化学式I

技术领域

本发明涉及一种光致抗蚀剂显影液组合物，更详细而言，涉及显影力和经时稳定性优异的光致抗蚀剂显影液组合物及利用上述显影液组合物形成光致抗蚀剂图案的方法。

背景技术

一般而言，形成集成电路、印刷电路基板以及液晶显示器等的微细图案的方法如下。

首先，在基板上所形成的绝缘膜或导电性金属膜的上部以一定的厚度涂布包含粘合剂树脂和光聚合性单体、光聚合引发剂、有机溶剂等的光致抗蚀剂组合物，然后进行烘烤(bake)而形成光致抗蚀剂膜。

接着，在所形成的光致抗蚀剂膜的上部放置具有预定图案的掩模后，照射UV、E-线束、X-射线等电子线束，在照射了光的曝光部分和未照射光的非曝光部分之间产生对于显影液的溶解度差异，然后使用显影液将曝光或非曝光部分显影，从而能够形成目标形状的光致抗蚀剂图案，且根据所形成的光致抗蚀剂图案将曝光的绝缘膜或导电性金属膜蚀刻而获得期望的图案。

其中，利用显影液的光致抗蚀剂显影工序作为用于精密地形成期望的图案的重要的步骤，根据所使用的显影液的种类、碱度、所包含的表面活性剂的种类及含量等，光致抗蚀剂的图案、线宽、溶解性能等也会发生变化。

韩国注册专利第10-0840530号公开了包含无机碱、有机溶剂、表面活性剂和水的光致抗蚀剂显影液组合物对光致抗蚀剂膜内部的渗透力优异而能够精密地形成光致抗蚀剂图案。但是，上述专利中所公开的组合物包含有机溶剂，从而存在经时稳定性差，发生颜色变化或性能降低的问题。

因此，要求开发显影力优异且经时稳定性也优异的光致抗蚀剂显影液组合物。

发明内容

所要解决的课题

本发明的目的在于，提供显影力和经时稳定性优异的光致抗蚀剂显影液组合物。

本发明的另一目的在于，提供利用上述显影液组合物形成光致抗蚀剂图案的方法。

解决课题的方法

一方面，本发明涉及包含下述化学式I的化合物、非离子性表面活性剂、碱性化合物和水的光致抗蚀剂显影液组合物：

[化学式I]

上述式中，

R₁和R₂各自独立地为-OM、碳原子数1～18的烷基或烷氧基、酚基、碳原子数5～8的环状烷基或-O-[CH₂-CH₂-O]_n-R₃，

R₁和R₂中至少一个为-OM，

R₃为氢、碳原子数1～18的烷基或烷氧基、被碳原子数1～18的烷基取代的苯基或碳原子数5～8的环状烷基，

M为氢、铵、碱金属或碱土金属，