[发明专利]传感器芯片堆叠和制造传感器芯片堆叠的方法在审
申请号: | 201710536482.6 | 申请日: | 2017-07-04 |
公开(公告)号: | CN107579085A | 公开(公告)日: | 2018-01-12 |
发明(设计)人: | 格奥尔格·帕特德;约亨·克拉夫特;弗朗茨·施兰克;托马斯·特克斯勒;安德里亚斯·菲茨伊 | 申请(专利权)人: | AMS国际有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/31;H01L25/16 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 王小衡,王天鹏 |
地址: | 瑞士拉*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 芯片 堆叠 制造 方法 | ||
1.一种传感器芯片堆叠,包括:
-半导体材料的传感器基板(1),其包括一个传感器或多个传感器(22),
-芯片(10),其被紧固到所述传感器基板(1),所述芯片(10)包括集成电路(11),
-所述传感器基板(1)和所述芯片(10)之间的电互连(4,16),
-所述芯片(10)的电端子(19),所述芯片(10)被布置在所述电端子(19)和所述传感器基板(1)之间,以及
-模制材料(13),其被布置成与所述芯片(10)相邻,所述芯片(10)的电端子(19)没有所述模制材料(13)。
2.根据权利要求1所述的传感器芯片堆叠,还包括:
-所述传感器基板(1)的接合焊盘(3),
-所述芯片(10)的接触焊盘(5),所述接触焊盘(5)面对所述接合焊盘(3),以及
-所述电互连(4,16),其包括焊盘连接件(4),所述焊盘连接件(4)的每个电连接所述接合焊盘(3)之一和所述接触焊盘(5)之一。
3.根据权利要求2所述的传感器芯片堆叠,其中
所述焊盘连接件(4)是通孔凸块。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的传感器芯片堆叠,还包括:
-所述芯片(10)的接触层(18),所述接触层(18)被布置在所述传感器基板(1)和所述芯片(10)之间,以及
-贯通芯片金属化层(8),其穿透所述芯片(10),所述贯通芯片金属化层(8)与所述接触层(18)接触并被电连接到所述电端子(19)之一。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的传感器芯片堆叠,还包括:
-所述传感器基板(1)的接触焊盘(17),所述接触焊盘(17)被布置在所述传感器基板(1)和所述芯片(10)之间,以及
-所述电互连(4,16),其包括穿透所述模制材料(13)的侧壁金属化层(16),所述侧壁金属化层(16)与所述接触焊盘(17)接触并且被电连接到所述电端子(19)之一。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的传感器芯片堆叠,还包括:
-另一芯片(10'),其被紧固到所述传感器基板(1),所述另一芯片(10')包括另一集成电路(11'),
-所述另一芯片(10')的另一电端子(19'),所述另一芯片(10')被布置在所述另一电端子(19')和所述传感器基板(1)之间,以及
-所述模制材料(13),其被布置成与所述另一芯片(10')相邻,所述另一电端子(19')没有所述模制材料(13)。
7.根据如取决于权利要求2的权利要求6所述的传感器芯片堆叠,还包括:
-所述另一芯片(10')的另一接触焊盘(5'),所述另一接触焊盘(5')面对所述接合焊盘(3),以及
-所述电互连,其包括另一焊盘连接件(4'),所述另一焊盘连接件(4')的每个电连接所述接合焊盘(3)之一和所述另一接触焊盘(5')之一。
8.根据权利要求6或7所述的传感器芯片堆叠,还包括:
-所述传感器基板(1)的接触焊盘(17),以及
-所述电互连(4,16),其包括穿透所述芯片(10)和所述另一芯片(10')之间的模制材料(13)并与所述接触焊盘(17)接触的侧壁金属化层(16)。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的传感器芯片堆叠,还包括:
-所述传感器基板(1)和所述芯片(10)之间的底部填充材料(14)。
10.一种制造传感器芯片堆叠的方法,包括:
-设置包括了多个传感器(21)的传感器基板(1),
-设置包括了集成电路(11)和接触焊盘(5)的多个芯片(10),
-将所述芯片(10)紧固到所述传感器基板(1)并且在所述传感器基板(1)和所述芯片(10)之间形成电互连(4,16),
-形成所述芯片(10)的电端子(19),所述芯片(10)被布置在所述电端子(19)和所述传感器基板(1)之间,并且
-在不覆盖所述电端子(19)的情况下,使用模制材料(13)填充所述芯片(10)之间的空隙(12)。
11.根据权利要求10所述的方法,其中
所述集成电路(11)被布置在所述传感器基板(1)的旁边。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的