[发明专利]传感器芯片堆叠和制造传感器芯片堆叠的方法在审

专利信息
申请号: 201710536482.6 申请日: 2017-07-04
公开(公告)号: CN107579085A 公开(公告)日: 2018-01-12
发明(设计)人: 格奥尔格·帕特德;约亨·克拉夫特;弗朗茨·施兰克;托马斯·特克斯勒;安德里亚斯·菲茨伊 申请(专利权)人: AMS国际有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L23/31;H01L25/16
代理公司: 北京品源专利代理有限公司11332 代理人: 王小衡,王天鹏
地址: 瑞士拉*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 传感器 芯片 堆叠 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种传感器芯片堆叠,包括:

-半导体材料的传感器基板(1),其包括一个传感器或多个传感器(22),

-芯片(10),其被紧固到所述传感器基板(1),所述芯片(10)包括集成电路(11),

-所述传感器基板(1)和所述芯片(10)之间的电互连(4,16),

-所述芯片(10)的电端子(19),所述芯片(10)被布置在所述电端子(19)和所述传感器基板(1)之间,以及

-模制材料(13),其被布置成与所述芯片(10)相邻,所述芯片(10)的电端子(19)没有所述模制材料(13)。

2.根据权利要求1所述的传感器芯片堆叠,还包括:

-所述传感器基板(1)的接合焊盘(3),

-所述芯片(10)的接触焊盘(5),所述接触焊盘(5)面对所述接合焊盘(3),以及

-所述电互连(4,16),其包括焊盘连接件(4),所述焊盘连接件(4)的每个电连接所述接合焊盘(3)之一和所述接触焊盘(5)之一。

3.根据权利要求2所述的传感器芯片堆叠,其中

所述焊盘连接件(4)是通孔凸块。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的传感器芯片堆叠,还包括:

-所述芯片(10)的接触层(18),所述接触层(18)被布置在所述传感器基板(1)和所述芯片(10)之间,以及

-贯通芯片金属化层(8),其穿透所述芯片(10),所述贯通芯片金属化层(8)与所述接触层(18)接触并被电连接到所述电端子(19)之一。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的传感器芯片堆叠,还包括:

-所述传感器基板(1)的接触焊盘(17),所述接触焊盘(17)被布置在所述传感器基板(1)和所述芯片(10)之间,以及

-所述电互连(4,16),其包括穿透所述模制材料(13)的侧壁金属化层(16),所述侧壁金属化层(16)与所述接触焊盘(17)接触并且被电连接到所述电端子(19)之一。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的传感器芯片堆叠,还包括:

-另一芯片(10'),其被紧固到所述传感器基板(1),所述另一芯片(10')包括另一集成电路(11'),

-所述另一芯片(10')的另一电端子(19'),所述另一芯片(10')被布置在所述另一电端子(19')和所述传感器基板(1)之间,以及

-所述模制材料(13),其被布置成与所述另一芯片(10')相邻,所述另一电端子(19')没有所述模制材料(13)。

7.根据如取决于权利要求2的权利要求6所述的传感器芯片堆叠,还包括:

-所述另一芯片(10')的另一接触焊盘(5'),所述另一接触焊盘(5')面对所述接合焊盘(3),以及

-所述电互连,其包括另一焊盘连接件(4'),所述另一焊盘连接件(4')的每个电连接所述接合焊盘(3)之一和所述另一接触焊盘(5')之一。

8.根据权利要求6或7所述的传感器芯片堆叠,还包括:

-所述传感器基板(1)的接触焊盘(17),以及

-所述电互连(4,16),其包括穿透所述芯片(10)和所述另一芯片(10')之间的模制材料(13)并与所述接触焊盘(17)接触的侧壁金属化层(16)。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的传感器芯片堆叠,还包括:

-所述传感器基板(1)和所述芯片(10)之间的底部填充材料(14)。

10.一种制造传感器芯片堆叠的方法,包括:

-设置包括了多个传感器(21)的传感器基板(1),

-设置包括了集成电路(11)和接触焊盘(5)的多个芯片(10),

-将所述芯片(10)紧固到所述传感器基板(1)并且在所述传感器基板(1)和所述芯片(10)之间形成电互连(4,16),

-形成所述芯片(10)的电端子(19),所述芯片(10)被布置在所述电端子(19)和所述传感器基板(1)之间,并且

-在不覆盖所述电端子(19)的情况下,使用模制材料(13)填充所述芯片(10)之间的空隙(12)。

11.根据权利要求10所述的方法,其中

所述集成电路(11)被布置在所述传感器基板(1)的旁边。

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