[发明专利]基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质有效
申请号: | 201710532046.1 | 申请日: | 2017-07-03 |
公开(公告)号: | CN107579020B | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
发明(设计)人: | 佐藤秀明 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板液 处理 装置 方法 以及 存储 介质 | ||
1.一种基板液处理装置,其特征在于,具备:
液处理部,其收纳含有磷酸水溶液的处理液以及基板,并且使用该处理液对所述基板进行处理;
磷酸水溶液供给部,其用于向所述液处理部供给所述磷酸水溶液;
排出线,其与所述液处理部连接来排出所述处理液;
返回线,其以自如地切换与所述排出线的连接和断开的方式与所述排出线连接,所述返回线使所述处理液返回到所述液处理部;
再生线,其以自如地切换与所述排出线的连接和断开的方式与所述排出线连接,所述再生线包括使所述处理液再生的再生单元;以及
控制部,
其中,所述控制部根据在所述液处理部中对所述基板进行处理而从所述基板溶出的溶出成分浓度将从所述排出线排出的所述处理液从所述再生线切换到经过所述排出线向外部废弃的废弃线,
当在所述液处理部中对所述基板进行处理而从所述基板溶出的溶出成分浓度达到了规定再生浓度时,所述控制部将从所述排出线排出的所述处理液切换到所述再生线,
在从所述基板溶出的溶出成分浓度达到了规定废弃浓度时,所述控制部将从所述排出线排出的所述处理液切换到从所述排出线向外部废弃的废弃线,
在从所述基板溶出的溶出成分浓度没有达到规定再生浓度时,所述控制部不将从所述排出线排出的所述处理液输送到所述再生线,而是将来自所述排出线的所述处理液切换到所述返回线。
2.根据权利要求1所述的基板液处理装置,其特征在于,
设置有测定所述处理液的磷酸浓度的磷酸浓度测定部,
在所述返回线中的液处理部附近设置有加热所述处理液的加热容器,并且水供给部连接于所述液处理部,
所述控制部基于来自所述磷酸浓度测定部的信号来在磷酸浓度比规定磷酸浓度低的情况下通过所述加热容器加热所述处理液,在磷酸浓度比规定磷酸浓度高的情况下,从所述水供给部向所述液处理部供给水。
3.根据权利要求1或2所述的基板液处理装置,其特征在于,
从所述基板溶出的溶出成分浓度是通过设置于所述排出线的溶出成分浓度测定部来得到的。
4.根据权利要求1或2所述的基板液处理装置,其特征在于,
关于从所述基板溶出的溶出成分浓度,通过预先进行的实验得到经过规定时间后的处理液中的溶出成分浓度。
5.一种基板液处理方法,其特征在于,具备以下步骤:
通过含有磷酸水溶液的处理液在液处理部中对基板进行处理的步骤;
从磷酸水溶液供给部向所述液处理部供给所述磷酸水溶液的步骤;
将所述液处理部内的所述处理液从排出线排出的步骤;
通过返回线使所述处理液返回到所述液处理部的步骤,所述返回线以自如地切换与所述排出线的连接和断开的方式与所述排出线连接;以及
通过再生线使所述处理液再生的步骤,所述再生线以自如地切换与所述排出线的连接和断开的方式与所述排出线连接,所述再生线包括使所述处理液再生的再生单元,
其中,控制部根据在所述液处理部中对所述基板进行处理而从所述基板溶出的溶出成分浓度将从所述排出线排出的所述处理液从所述再生线切换到经过所述排出线向外部废弃的废弃线,
当在所述液处理部中对所述基板进行处理而从所述基板溶出的溶出成分浓度达到了规定再生浓度时,所述控制部将从所述排出线排出的所述处理液切换到所述再生线,
在从所述基板溶出的溶出成分浓度达到了规定废弃浓度时,所述控制部将从所述排出线排出的所述处理液切换到从所述排出线向外部废弃的废弃线,
在从所述基板溶出的溶出成分浓度没有达到规定再生浓度时,所述控制部不将从所述排出线排出的所述处理液输送到所述再生线,而是将来自所述排出线的所述处理液切换到所述返回线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造