[发明专利]一种发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201710522326.4 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107195739B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管，所述发光二极管包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、有源层、电子阻挡层、P型层和活化接触P型层，其特征在于，
所述电子阻挡层由三个子层组成，所述三个子层包括依次生长的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层由n+1个周期的AlGaN/InGaN超晶格组成，所述第二子层由n个周期的AlGaN/InGaN超晶格组成，所述第三子层由n-1个周期的AlGaN/InGaN超晶格组成，所述第一子层中的InGaN层、第二子层中的InGaN层和第三子层中的InGaN层中均掺杂有Mg，3≤n≤6；
所述第一子层中的Al的浓度大于所述第二子层中的Al的浓度，且所述第二子层中的Al的浓度大于所述第三子层中的Al的浓度；
所述第一子层的厚度大于所述第二子层的厚度，所述第二子层的厚度大于所述第三子层的厚度；
所述第一子层的厚度为5-10nm，第二子层的厚度为3-5nm，所述第三子层的厚度为1-3nm；
所述第一子层中的InGaN层中的Mg的掺杂浓度小于所述第二子层中的InGaN层中的Mg的掺杂浓度，且所述第二子层中的InGaN层中的Mg的掺杂浓度小于所述第三子层中的Mg的掺杂浓度，所述第一子层中的ln的浓度小于所述第二子层中的ln的浓度，且所述第二子层中的ln的浓度小于所述第三子层中的ln的浓度；
所述第一子层中的Al的浓度为5*1020/cm3-10*1020/cm3，所述第二子层中的Al的浓度为1*1020/cm3-5*1020/cm3，所述第三子层中的Al的浓度为1*1019/cm3-10*1019/cm3；
所述第一子层中的InGaN层中的Mg的掺杂浓度为5*1019/cm3～10*1019/cm3，所述第二子层中的InGaN层中的Mg的掺杂浓度为1*1020/cm3～5*1020/cm3，所述第三子层( 63) 中的InGaN层中的Mg的掺杂浓度为5*1020/cm3～10*1020/cm3；
所述第一子层中的In的浓度为1*1017/cm3～5*1017/cm3，所述第二子层中的In的浓度为5*1017/cm3～10*1017/cm3，所述第三子层中的In的浓度为1*1018/cm3～5*1018/cm3。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电(苏州)有限公司，未经华灿光电(苏州)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710522326.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
