[发明专利]热电转换装置及电子设备

权利要求书

1.一种热电转换装置，其特征在于，包括：第一散热薄膜、第二散热薄膜、热电转换薄膜以及电能回收模块；

所述第一散热薄膜用于设置于电子设备的高温区域以传导所述高温区域的热能，所述第二散热薄膜用于设置于所述电子设备的低温区域；其中，所述第一散热薄膜还用于将高温区域的温度在一定时间段内进行稳定化，所述第二散热薄膜还用于将低温区域的温度在一定时间段内进行稳定化；

所述热电转换薄膜的两端分别连接于所述第一散热薄膜与所述第二散热薄膜，且用于基于所述高温区域与所述低温区域的温度差将所述高温区域的热能转换为电能；

所述电能回收模块连接于所述第二散热薄膜，且用于通过所述第二散热薄膜接收并存储转换得到的所述电能；

所述电能回收模块包括电荷提取单元与电荷存储单元；

所述电荷提取单元连接于所述第二散热薄膜的电荷累积区与所述电荷存储单元之间；

所述电荷提取单元用于从所述第二散热薄膜的电荷累积区提取电荷，以将所述电能储存在所述电荷存储单元中；

其中，所述热电转换薄膜将所述热能转换得到的所述电能以电荷的形式临时存放在所述电荷累积区；

所述热电转换薄膜为半导体热电转换薄膜；

所述半导体热电转换薄膜包括K个依次排列的半导体热电转换子单元；每个半导体热电转换子单元包括P型区与N型区；所述电荷提取单元包括K个依次排列的电荷提取子单元；所述电荷累积区包括K个依次排列的电荷累积子区；K为大于零的自然数；

第i个所述半导体热电转换子单元的一端连接于所述第一散热薄膜，且另一端连接于第i个所述电荷累积子区；

第i个所述电荷提取子单元的一端连接于第i个所述电荷累积子区，且另一端连接于电荷存储单元；所述i＝1,2,3,……，K；

每个所述电荷提取子单元包括第一二极管、第二二极管以及电容；

所述第一二极管的正极连接于所述电荷累积子区中的正电荷子区，且其负极连接于所述电容的第一端；

所述第二二极管的负极连接于所述电荷累积子区的负电荷子区，且其正极连接于所述电容的第二端；

所述电容的第一端还连接于所述电荷存储单元。

2.根据权利要求1所述的热电转换装置，其特征在于，每个所述电荷提取子单元还包括第三二极管与运算放大器；

所述第三二极管的正极连接于所述电容的第一端，所述第三二极管的负极连接于所述运算放大器的反相输入端与输出端；

所述运算放大器的正相输入端接地，所述运算放大器的输出端连接于所述电荷存储单元。

3.根据权利要求1所述的热电转换装置，其特征在于，所述第一散热薄膜上用于与所述热电转换薄膜连接的第一连接区域，至少包括所述第一散热薄膜面对所述热电转换薄膜的第一侧壁。

4.根据权利要求3所述的热电转换装置，其特征在于，所述第一连接区域还包括：与所述第一侧壁相邻接的一个表面上的部分区域。

5.根据权利要求4所述的热电转换装置，其特征在于，所述第一连接区域还包括：与所述第一侧壁相邻接的另一个表面上的部分区域。

6.根据权利要求1所述的热电转换装置，其特征在于，所述第二散热薄膜上用于与所述热电转换薄膜连接的第二连接区域，至少包括所述第二散热薄膜面对所述热电转换薄膜的第二侧壁。

7.根据权利要求6所述的热电转换装置，其特征在于，所述第二连接区域还包括：与所述第二侧壁相邻接的一个表面上的部分区域。

8.根据权利要求7所述的热电转换装置，其特征在于，所述第二连接区域还包括：与所述第二侧壁相邻接的另一个表面上的部分区域。

9.一种电子设备，其特征在于，包括至少一个高温区域、至少一个低温区域以及至少一个权利要求1至8中任意一项所述的热电转换装置；

所述第一散热薄膜设置在所述高温区域上，所述第二散热薄膜设置在所述低温区域上，所述热电转换薄膜设置在所述高温区域与所述低温区域之间的过渡区域上。

10.根据权利要求9所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备的电路板上包括至少一个发热元件；

所述高温区域位于所述电路板上且至少包括所述发热元件所在位置。