[发明专利]一种采用石英环光学镀膜材料改善高反膜微缺陷的方法有效
| 申请号： | 201710515223.5 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109207934B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 杨勇;马云峰;杨莉莉;魏玉全;刘学建;黄政仁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/10;C23C14/08 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 石英 光学 镀膜 材料 改善 高反膜微 缺陷 方法 | ||
1.一种采用石英环光学镀膜材料改善高反膜微缺陷的方法，其特征在于，以SiO2细粉和SiO2超微粉为原料，加入粘结剂，经混合和成型，得到石英素坯，所述SiO2超微粉的质量为SiO2细粉质量的3～6%，所述SiO2细粉的纯度为99.99%，粒径为2～10μm；所述SiO2超微粉的纯度为97%，粒径为0.5～1.5μm；将石英素坯进行脱粘后，先在700～800℃下预熔120～150分钟，再于1000～1200℃下煅烧120～180分钟，得到石英镀膜材料；在真空镀膜过程中使用经预熔制得的石英镀膜材料进行镀膜。
2.一种制备含有SiO2层的高反膜的方法，其特征在于，以SiO2细粉和SiO2超微粉为原料，加入粘结剂，经混合和成型，得到石英素坯，所述SiO2超微粉的质量为SiO2细粉质量的3～6%，所述SiO2细粉的纯度为99.99%，粒径为2～10μm；所述SiO2超微粉的纯度为97%，粒径为0.5～1.5μm；将石英素坯进行脱粘后，先在700～800℃下预熔120～150分钟，再于1000～1200℃下煅烧120～180分钟，得到石英镀膜材料；在真空镀膜过程中，先在衬底上沉积高折射率材料Nb2O5或HfO2，然后再以预熔制得的石英镀膜材料为靶材，沉积低折射率的SiO2层，交替进行，直至高反膜的总厚度5～7μm。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在真空镀膜过程中，通过调节电子束的线扫描频率和坩埚穴的转速，将石英镀膜材料的蒸发速率控制在0.2～0.8nm/s。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述成型的方式为干压成型，所述干压成型的压力为80～120MPa。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述脱粘为在600～650℃下保温1～6小时。
6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述预熔的升温速率为5～10℃/分钟。
7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述煅烧的升温速率为6～8℃/分钟。
8.一种根据权利要求2所述方法制备的高反膜。
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