[发明专利]一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制作方法及电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管技术领域，特别是指一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制作方法及电子设备。

背景技术

红外辐射是电磁辐射，其波长长于红色可见光的最长波长，但比微波的短。从大约300千兆赫(1毫米)的红外区域跨越到400兆赫(750nm)，并可分为三个部分：近红外，中红外和远红外。近红外(NIR)区通常落在光谱从120到400赫兹(2500～750纳米)的范围。近红外的材料被定义为能与近红外光相互作用的物质，大致可分为两组：无机材料，包括金属氧化物和半导体纳米晶体，以及有机材料，包括金属络合物，离子性染料，延长对共轭的生色团，以及给体-受体的电荷转移生色团。

红外技术如红外成像的前进是由军事和民用用途的需求驱动。军事上的应用，包括目标捕获，监控，夜视，归巢和跟踪。非军事用途包括：热效率分析，远程温度检测，短程无线通信，光谱学，和天气预报。研究近红外材料和技术是由对未知事物的求索和在一些重要领域的基础研究和实际应用的动机如能源，通信，生物成像，传感和先进的光电子。

目前Oxide晶体管由于可以制备大面积，透明，柔性电子器件而受到广泛关注，原因在于它具有很高的光学透过性以及很高的电子迁移率，但是氧空位缺陷的存在会使Oxide晶体性能发生退化，引发光不稳定性及持续的光电流，但在短波长范围内却有很高的增益。而目前的Oxide薄膜晶体管对近红外光并不敏感，近红外光是短波长最重要的一种，经研究发现，近50％的太阳能落在近红外光谱区域，因此当前亟需一种技术方案，能够有效改善Oxide晶体管对近红外光的光敏特性。

发明内容

本发明的目的是解决现有薄膜晶体管无法对对近红外光产生光敏特性的问题。

为实现上述目的，一方面，本发明的实施例提供一种薄膜晶体管，包括：

形成在衬底基板上的有源层和光感应层；

其中，所述光感应层与所述有源层相接触，从而构成异质结，使得所述光感应层受近红外光照射后能够产生流向所述有源层的载流子。

其中，所述光感应层的形成材料包括：PBDTT、PC61BM、P3HT、PEDOT和PSS中的一者或任意几者的组合。

其中，所述有源层的形成材料包括：IGZO。

其中，所述薄膜晶体管还包括：

源漏金属图形；

所述光感应层设置在所述有源层远离所述源漏金属图形的一侧，或者所述光感应层图形设置在有源层靠近所述源漏金属图形的一侧，且所述光感应层图形在衬底基板的正投影与所述源漏金属图形在衬底基板上的正投影存在不重叠的区域。

其中，所述薄膜晶体管还包括：

形成在衬底基板上的栅电极和栅绝缘层，所述栅绝缘层设置在所述光感应层与所述栅电极之间。

其中，所述栅电极位于所述光感应层远离所述衬底基板的一侧；

所述栅电极的形成材料包括：NiCr、Au和Pt中的一者或任意几者的组合。

其中，所述栅电极在平行于所述衬底基板的截面上，至少有一部分呈为V型，且该V型的部分的设置区域与所述光感应层的设置区域正对设置。

另一方面，本发明的实施例还提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

在衬底基板上形成源漏金属图形、有源层和光感应层的步骤；

其中，所述光感应层与所述有源层构成异质结，从而使得所述光感应层受近红外光照射后能够产生流向所述有源层的载流子。

其中，所述制作方法还包括：

在衬底基板上依次形成栅绝缘层和栅电极的步骤；

其中，所述栅绝缘层设置在所述光感应层与所述栅电极之间。

其中，在衬底基板上形成不同层的源漏金属图形、有源层和光感应层的步骤，包括：

在形成栅绝缘层和栅电极的步骤前，在衬底基板上依次形成的源漏金属图形、有源层，之后使用薄膜晶体管的保护层的掩膜工艺，在衬底基板上形成光感应层，使得所述光感应层作为所述保护层。

此外，本发明的实施例还提供一种本发明实施例的薄膜晶体管在电子设备中的应用。

相应的，本发明的实施例还提供一种电子设备，包括本发明提供的上述薄膜晶体管。

本发明的上述方案具有如下有益效果：

本发明的方案在现有薄膜晶体管基础之上，增加一个能够与有源层形成异质结的光感应层，该光感应层能够对近红外光产生光敏特性，可保证薄膜晶体管经光线照射后，产生出更为稳定的光电流，特别适用于一些对近红外光有特殊感应要求的仪器，因此具有很高的使用价值。

附图说明